TAC Coating Half-Moon Part

Keramik TAC memiliki titik leleh hingga 3880 ° C, kekerasan tinggi (kekerasan MOHS 9-10), konduktivitas termal besar (22W · M-1 · K-1), kekuatan lentur besar (340-400MPA), dan koefisien ekspansi termal kecil (6,6 × 10−6k-1). Mereka juga menunjukkan stabilitas termokimia yang sangat baik dan sifat fisik yang sangat baik, dan memiliki kompatibilitas kimia dan mekanis yang baik dengan grafit dan komposit C/C. Oleh karena itu, pelapis TAC banyak digunakan dalam perlindungan termal aerospace, pertumbuhan kristal tunggal, elektronik energi, dan perangkat medis.

Grafit yang dilapisi TAC memiliki ketahanan korosi kimia yang lebih baik daripada grafit telanjang atau grafit berlapis SIC, dapat digunakan secara stabil pada suhu tinggi 2600 °, dan tidak bereaksi dengan banyak elemen logam. Ini adalah lapisan terbaik dalam pertumbuhan kristal semikonduktor generasi ketiga dan skenario etsa wafer, dan dapat secara signifikan meningkatkan kontrol suhu dan kotoran dalam proses, dan menyiapkan wafer karbida silikon berkualitas tinggi dan wafer epitaxial terkait. Ini sangat cocok untuk menumbuhkan kristal tunggal GaN atau ALN dengan peralatan MOCVD dan menumbuhkan kristal tunggal SIC dengan peralatan PVT. Kualitas kristal tunggal yang tumbuh secara signifikan meningkat.

Produk ini adalah solusi ideal untuk produsen yang memprioritaskan presisi, efisiensi, dan daya tahan dalam proses epitaks mereka. Trust Semicorex untuk solusi kinerja tinggi yang dirancang untuk memenuhi kebutuhan yang berkembang dari industri semikonduktor.