Penerima Lapisan TaC

Susceptor Lapisan TaC (Tantalum Carbide) mewakili puncak dalam rekayasa material, dibuat dengan cermat dari grafit berkualitas tinggi dan diperkaya dengan lapisan tantalum karbida. Terutama dirancang untuk digunakan dalam pertumbuhan kristal SiC dan proses epitaksi SiC, komponen inovatif ini berdiri sebagai mercusuar dalam ketahanan dan kinerja dalam lingkungan termal dan kimia yang ekstrem.

lapisan TaC memiliki banyak tujuan, memperpanjang umur operasional komponen grafit sekaligus menjaga stoikiometri reaksi dengan cermat dan mengurangi migrasi pengotor selama pertumbuhan kristal dan proses epitaksi. Dengan melindungi terhadap intrusi pengotor ke dalam lapisan epitaksial dan formasi kristal, TaC Coating Susceptor selalu meningkatkan tingkat hasil dan kualitas hasil.

Dirancang untuk menahan suhu terik yang melekat pada proses ini, Susceptor Lapisan TaC menunjukkan stabilitas termal yang luar biasa, tetap kokoh bahkan di lingkungan melebihi 2200°C. Ketahanan yang tak tertandingi ini memastikan fungsionalitas yang mulus dalam menghadapi panas ekstrem, memungkinkan pengoperasian berkelanjutan tanpa kompromi.

Konstruksi TaC Coating Susceptor yang kokoh membuatnya tahan terhadap efek korosif hidrogen (H2), amonia (NH3), silan (SiH4), dan silikon (Si), sehingga memberikan perlindungan terhadap kerasnya lingkungan kimia yang keras. Karakteristik ini menjadikannya aset yang sangat diperlukan dalam aplikasi yang memerlukan kompatibilitas bahan kimia yang ketat, memastikan integritas operasional dalam kondisi yang paling menuntut.

Selain itu, Susceptor Lapisan TaC menawarkan kemurnian superlatif, dirancang dengan cermat untuk menghilangkan kotoran atau kontaminan asing yang dapat membahayakan integritas proses. Komposisi dengan kemurnian sangat tinggi menjamin kebersihan dan keandalan maksimal, menekankan peran yang sangat diperlukan dalam memastikan kualitas produk dan optimalisasi hasil.