Rumah > Produk > Pelapisan TaC > Wadah Tantalum Karbida
Wadah Tantalum Karbida

Wadah Tantalum Karbida

Wadah Semicorex Tantalum Carbide adalah komponen penting dalam industri semikonduktor, yang dirancang khusus untuk pertumbuhan kristal Silicon Carbide (SiC). Semicorex berkomitmen untuk menyediakan produk berkualitas dengan harga bersaing, kami berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di China*.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Wadah Semicorex Tantalum Carbide dibuat dengan cermat dari grafit, yang kemudian dilapisi dengan tantalum karbida (TaC), kombinasi yang memberikan kinerja unggul dalam lingkungan pertumbuhan kristal SiC yang bersuhu tinggi dan menuntut bahan kimia.


Tantalum karbida adalah bahan keramik tahan api yang dikenal karena kekerasannya yang luar biasa, ketahanan terhadap bahan kimia, dan kemampuannya menjaga integritas struktural pada suhu yang sangat tinggi. Dengan melapisi wadah grafit dengan TaC, Tantalum Carbide Crucible mewarisi sifat-sifat yang menguntungkan ini, sehingga secara signifikan meningkatkan kinerja dan masa pakainya. Lapisan TaC bertindak sebagai penghalang pelindung, mencegah grafit bereaksi dengan bahan SiC atau gas lain yang ada selama proses pertumbuhan. Hal ini memastikan wadah tetap terjaga integritasnya dan tidak menimbulkan kontaminan apa pun yang dapat mengganggu kualitas kristal SiC.


Wadah Tantalum Karbida memiliki kemampuan untuk beroperasi pada suhu tinggi yang diperlukan untuk pertumbuhan kristal SiC. Kristal SiC biasanya tumbuh pada suhu melebihi 2000°C, dan mempertahankan suhu tinggi tersebut secara konsisten sangat penting untuk menghasilkan kristal berkualitas tinggi. Wadah grafit berlapis TaC dapat tahan terhadap kondisi ekstrem ini tanpa mengalami deformasi atau degradasi, sehingga menyediakan lingkungan yang stabil untuk proses pertumbuhan kristal. Stabilitas ini penting untuk mencapai ukuran kristal, kemurnian, dan sifat struktural yang diinginkan yang diperlukan untuk aplikasi semikonduktor.


Wadah Tantalum karbida memiliki ketahanan kimia yang kuat, menjadikannya penting untuk pertumbuhan kristal SiC. Sepanjang proses pertumbuhan, berbagai gas dan spesies reaktif dimasukkan untuk membantu pembentukan kristal SiC. Lingkungan ini bisa sangat korosif, sehingga menimbulkan risiko terhadap integritas struktural wadah. Lapisan TaC secara efektif melindungi grafit dari elemen korosif ini, memastikan wadah tetap utuh dan berfungsi selama proses berlangsung. Ketahanan terhadap serangan kimia ini tidak hanya memperpanjang umur wadah tetapi juga berkontribusi terhadap efisiensi keseluruhan dan efektivitas biaya operasi pertumbuhan kristal.



Tag Panas: Wadah Tantalum Carbide, Cina, Produsen, Pemasok, Pabrik, Disesuaikan, Massal, Canggih, Tahan Lama
Kategori Terkait
mengirimkan permintaan
Jangan ragu untuk memberikan pertanyaan Anda dalam formulir di bawah ini. Kami akan membalas Anda dalam 24 jam.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept