Cincin Fokus CVD SiC

Proses Deposisi Uap Kimia Tingkat Lanjut (CVD).

Proses CVD yang digunakan dalam pembuatan Cincin Fokus SiC CVD melibatkan pengendapan SiC secara tepat ke dalam bentuk tertentu, diikuti dengan pemrosesan mekanis yang ketat. Metode ini memastikan bahwa parameter resistivitas material konsisten, berkat rasio material tetap yang ditentukan setelah eksperimen ekstensif. Hasilnya adalah cincin fokus dengan kemurnian dan keseragaman yang tak tertandingi.

Resistensi Plasma Unggul

Salah satu atribut paling menarik dari CVD SiC Focus Ring adalah ketahanannya yang luar biasa terhadap plasma. Mengingat cincin fokus terpapar langsung ke plasma di dalam ruang reaksi vakum, kebutuhan akan bahan yang mampu bertahan dalam kondisi keras seperti itu sangatlah penting. SiC, dengan tingkat kemurnian 99,9995%, tidak hanya memiliki konduktivitas listrik yang sama dengan silikon tetapi juga menawarkan ketahanan yang unggul terhadap etsa ionik, menjadikannya pilihan ideal untuk peralatan etsa plasma.

Kepadatan Tinggi dan Volume Etsa Berkurang

Dibandingkan dengan cincin fokus silikon (Si), Cincin Fokus SiC CVD memiliki kepadatan lebih tinggi, sehingga mengurangi volume pengetsaan secara signifikan. Properti ini sangat penting dalam memperpanjang umur cincin fokus dan menjaga integritas proses manufaktur semikonduktor. Berkurangnya volume etsa berarti lebih sedikit gangguan dan biaya pemeliharaan yang lebih rendah, sehingga pada akhirnya meningkatkan efisiensi produksi.

Celah pita lebar dan insulasi luar biasa

Celah pita SiC yang lebar memberikan sifat isolasi yang sangat baik, yang penting dalam mencegah arus listrik yang tidak diinginkan mengganggu proses etsa. Karakteristik ini memastikan cincin fokus mempertahankan kinerjanya dalam jangka waktu lama, bahkan dalam kondisi paling menantang sekalipun.

Konduktivitas Termal dan Ketahanan terhadap Kejutan Termal

Cincin Fokus SiC CVD menunjukkan konduktivitas termal yang tinggi dan koefisien ekspansi yang rendah, sehingga sangat tahan terhadap guncangan termal. Sifat-sifat ini sangat bermanfaat dalam aplikasi yang melibatkan pemrosesan termal cepat (RTP), di mana cincin fokus harus tahan terhadap gelombang panas yang intens yang diikuti dengan pendinginan cepat. Kemampuan CVD SiC Focus Ring untuk tetap stabil dalam kondisi seperti itu menjadikannya sangat diperlukan dalam manufaktur semikonduktor modern.

Kekuatan dan Daya Tahan Mekanik

Elastisitas dan kekerasan yang tinggi dari CVD SiC Focus Ring memberikan ketahanan yang sangat baik terhadap benturan mekanis, keausan, dan korosi. Atribut-atribut ini memastikan bahwa cincin fokus dapat bertahan terhadap tuntutan fabrikasi semikonduktor yang ketat, menjaga integritas struktural dan kinerjanya dari waktu ke waktu.

Aplikasi Di Berbagai Industri

1. Manufaktur Semikonduktor

Dalam bidang manufaktur semikonduktor, CVD SiC Focus Ring merupakan komponen penting dari peralatan etsa plasma, khususnya yang menggunakan sistem capacitive coupled plasma (CCP). Energi plasma tinggi yang diperlukan dalam sistem ini menjadikan ketahanan dan daya tahan plasma CVD SiC Focus Ring sangat berharga. Selain itu, sifat termalnya yang sangat baik membuatnya cocok untuk aplikasi RTP, di mana siklus pemanasan dan pendinginan yang cepat sering terjadi.

2. Pembawa Wafer LED

Cincin Fokus CVD SiC juga sangat efektif dalam produksi pembawa wafer LED. Stabilitas termal material dan ketahanan terhadap korosi kimia memastikan bahwa cincin fokus dapat tahan terhadap kondisi keras yang terjadi selama fabrikasi LED. Keandalan ini berarti hasil yang lebih tinggi dan wafer LED berkualitas lebih baik.

3. Target Tergagap

Dalam aplikasi sputtering, kekerasan dan ketahanan aus CVD SiC Focus Ring yang tinggi menjadikannya pilihan ideal untuk target sputtering. Kemampuan cincin fokus untuk mempertahankan integritas strukturalnya di bawah dampak energi tinggi memastikan kinerja sputtering yang konsisten dan andal, yang merupakan hal penting dalam produksi film tipis dan pelapis.