> Produk > Keramik > Silikon Karbida (SiC) > Efektor Akhir untuk Penanganan Wafer

Produk

produk baru

Efektor Akhir untuk Penanganan Wafer

Semicorex End Effector untuk Penanganan Wafer memiliki dimensi yang presisi dan stabil secara termal untuk pemrosesan wafer. Kami telah menjadi produsen dan pemasok elemen pelapis silikon karbida selama bertahun-tahun. Produk kami memiliki keunggulan harga yang bagus dan mencakup sebagian besar pasar Eropa dan Amerika. Kami berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di Tiongkok.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Semicorex End Effector untuk Penanganan Wafer memiliki dimensi yang presisi dan stabil secara termal, sekaligus memiliki film pelapis CVD SiC yang halus dan tahan abrasi untuk menangani wafer dengan aman tanpa merusak perangkat atau menghasilkan kontaminasi partikulat, yang dapat memindahkan wafer semikonduktor antar posisi dalam peralatan pemrosesan wafer dan pembawa secara tepat dan efisien. Lapisan silikon karbida (SiC) kemurnian tinggi kami End Effector untuk Penanganan Wafer memberikan ketahanan panas yang unggul, bahkan keseragaman termal untuk ketebalan dan ketahanan lapisan epi yang konsisten, dan ketahanan kimia yang tahan lama.

Di Semicorex, kami fokus pada penyediaan produk berkualitas tinggi dan hemat biaya kepada pelanggan kami. End Effector untuk Penanganan Wafer kami memiliki keunggulan harga dan diekspor ke banyak pasar Eropa dan Amerika. Kami bertujuan untuk menjadi mitra jangka panjang Anda, memberikan produk dengan kualitas yang konsisten dan layanan pelanggan yang luar biasa.

Parameter Efektor Akhir untuk Penanganan Wafer

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	Fase FCC β
Kepadatan	gram/cm³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Ukuran Butir	μm	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Felekural	MPa (RT 4 poin)	415
Modulus Young	IPK (tikungan 4pt, 1300℃)	430
Ekspansi Termal (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300