Bahan Grafit Berpori dengan kemurnian tinggi

Bahan grafit berpori dengan kemurnian tinggi, khususnya yang dicontohkan oleh grafit berpori Semicorex, merupakan bahan terbaik yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal SiC (Silicon Carbide) di industri semikonduktor. Bahan grafit khusus ini dirancang dengan fokus cermat pada kemurnian ultra-tinggi dan porositas terbuka yang luar biasa, menjadikannya pilihan terbaik untuk aplikasi berat dalam proses pertumbuhan kristal.

Ciri khas grafit berpori Semicorex terletak pada kemurniannya yang tak tertandingi, memastikan pengotor minimal yang dapat membahayakan integritas proses manufaktur semikonduktor. Tingkat kemurnian yang tinggi ini sangat penting untuk pertumbuhan kristal tunggal SiC, karena kontaminan apa pun dapat berdampak buruk pada sifat listrik dan struktural bahan semikonduktor yang dihasilkan.

Selain itu, grafit berpori Semicorex memiliki porositas terbuka yang tinggi, karakteristik utama untuk pertumbuhan kristal yang efisien dan terkendali. Porositas terbuka memfasilitasi kontrol aliran gas dan distribusi panas yang tepat selama proses pertumbuhan kristal, berkontribusi pada produksi kristal tunggal SiC berkualitas tinggi dengan sifat seragam.

Kualitas bahan yang terbaik melampaui karakteristik kimia dan fisiknya. Grafit berpori Semicorex dibuat dan diolah dengan cermat untuk memenuhi persyaratan ketat industri semikonduktor. Keandalan, konsistensi, dan kinerjanya menjadikannya pilihan utama bagi produsen semikonduktor yang terlibat dalam pertumbuhan kristal tunggal SiC.