Bahan Grafit Berpori untuk Aplikasi Pertumbuhan SiC Kristal Tunggal

Bahan Grafit Berpori Semicorex dirancang untuk memenuhi tuntutan aplikasi pertumbuhan kristal SiC. Direkayasa dengan presisi dan dibuat untuk kinerja, bahan-bahan ini adalah kunci Anda untuk mencapai kristal SiC unggul dengan kualitas dan kemurnian tak tertandingi.

Fitur:

Porositas yang Dioptimalkan: Bahan Grafit Berpori kami memiliki tingkat porositas yang dikontrol secara tepat untuk memfasilitasi pertumbuhan SiC kristal tunggal. Distribusi pori-pori yang seragam menjamin hasil yang konsisten dan dapat diandalkan.

Konduktivitas Termal Tinggi: Untuk memastikan perpindahan panas yang efisien selama proses pertumbuhan SiC, material kami dirancang dengan konduktivitas termal yang tinggi, mengurangi gradien suhu dan meminimalkan cacat kristal.

Kelambanan Kimia: Ketahanan terhadap lingkungan kimia yang keras sangat penting dalam aplikasi pertumbuhan kristal. Bahan-bahan kami sangat lembam secara kimia, sehingga memastikan bahan-bahan tersebut tetap stabil dan tidak terpengaruh oleh sifat korosif dari proses pertumbuhan SiC.

Stabilitas Mekanik: Dirancang untuk umur panjang, bahan-bahan ini menunjukkan stabilitas mekanis yang luar biasa, meminimalkan risiko deformasi atau kerusakan selama penggunaan jangka panjang.

Kemampuan Penyesuaian: Kami memahami bahwa proses pertumbuhan kristal yang berbeda memiliki persyaratan yang unik. Itu sebabnya kami menawarkan serangkaian opsi penyesuaian, termasuk berbagai tingkat porositas, ukuran, dan bentuk, untuk menyesuaikan material kami dengan kebutuhan spesifik Anda.