Pelat Pembawa Etsa ICP Semicorex adalah solusi sempurna untuk penanganan wafer dan proses pengendapan film tipis yang menuntut. Produk kami memberikan ketahanan panas dan korosi yang unggul, bahkan keseragaman termal, dan pola aliran gas laminar. Dengan permukaan yang bersih dan halus, wadah kami sempurna untuk menangani wafer murni.
Pelat Pembawa Etsa ICP Semicorex memberikan daya tahan dan umur panjang yang sangat baik untuk penanganan wafer dan proses pengendapan film tipis. Produk kami menawarkan ketahanan panas dan korosi yang unggul, bahkan keseragaman termal, dan pola aliran gas laminar. Dengan permukaan yang bersih dan halus, operator kami memastikan penanganan wafer murni secara optimal. Penarikan suhu tinggi, pembersihan kimia, serta keseragaman termal yang tinggi.
Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang Pelat Pembawa Etsa ICP kami.
Parameter Pelat Pembawa Etsa ICP
Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC |
||
Properti SiC-CVD |
||
Struktur Kristal |
Fase FCC β |
|
Kepadatan |
gram/cm³ |
3.21 |
Kekerasan |
Kekerasan Vickers |
2500 |
Ukuran Butir |
μm |
2~10 |
Kemurnian Kimia |
% |
99.99995 |
Kapasitas Panas |
J kg-1 K-1 |
640 |
Suhu Sublimasi |
℃ |
2700 |
Kekuatan Felekural |
MPa (RT 4 poin) |
415 |
Modulus Young |
IPK (tikungan 4pt, 1300℃) |
430 |
Ekspansi Termal (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Konduktivitas termal |
(W/mK) |
300 |
Fitur Pelat Pembawa Etsa ICP
- Hindari mengelupas dan pastikan melapisi seluruh permukaan
Ketahanan oksidasi suhu tinggi: Stabil pada suhu tinggi hingga 1600°C
Kemurnian tinggi: dibuat dengan deposisi uap kimia CVD dalam kondisi klorinasi suhu tinggi.
Ketahanan korosi: kekerasan tinggi, permukaan padat dan partikel halus.
Ketahanan korosi: asam, alkali, garam dan reagen organik.
- Mencapai pola aliran gas laminar terbaik
- Menjamin kemerataan profil termal
- Mencegah penyebaran kontaminasi atau kotoran