Sistem Etsa Plasma ICP

Pembawa SiC Coated Semicorex untuk Sistem Etsa Plasma ICP adalah solusi yang andal dan hemat biaya untuk proses penanganan wafer suhu tinggi seperti epitaksi dan MOCVD. Operator kami dilengkapi lapisan kristal SiC halus yang memberikan ketahanan panas unggul, bahkan keseragaman termal, dan ketahanan kimia yang tahan lama.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Raih proses epitaksi dan MOCVD kualitas tertinggi dengan pembawa SiC Coated Semicorex untuk Sistem Etsa Plasma ICP. Produk kami dirancang khusus untuk proses ini, menawarkan ketahanan panas dan korosi yang unggul. Lapisan kristal SiC kami yang halus memberikan permukaan yang bersih dan halus, memungkinkan penanganan wafer secara optimal.
Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang pembawa SiC Coated kami untuk Sistem Etsa Plasma ICP.

Parameter pembawa Dilapisi SiC untuk Sistem Etsa Plasma ICP

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	fase FCC β
Kepadatan	gram/cm³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Ukuran Butir	μm	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Felekural	MPa (RT 4 poin)	415
Modulus Young	IPK (tikungan 4pt, 1300℃)	430
Ekspansi Termal (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300