- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Sistem Etsa Plasma ICP
Pembawa Dilapisi SiC Semicorex untuk ICP Plasma Etching System adalah solusi andal dan hemat biaya untuk proses penanganan wafer suhu tinggi seperti epitaksi dan MOCVD. Operator kami menampilkan lapisan kristal SiC halus yang memberikan ketahanan panas yang unggul, bahkan keseragaman termal, dan ketahanan kimia yang tahan lama.
mengirimkan permintaan
Deskripsi Produk
Mencapai proses epitaksi dan MOCVD kualitas tertinggi dengan pembawa Dilapisi SiC Semicorex untuk Sistem Pengetsaan Plasma ICP. Produk kami direkayasa khusus untuk proses ini, menawarkan ketahanan panas dan korosi yang unggul. Lapisan kristal SiC halus kami memberikan permukaan yang bersih dan halus, memungkinkan penanganan wafer yang optimal.
Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang SiC Coated carrier kami untuk ICP Plasma Etching System.
Parameter pembawa Dilapisi SiC untuk Sistem Etsa Plasma ICP
|
Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC |
||
|
Properti SiC-CVD |
||
|
Struktur kristal |
FCC β fase |
|
|
Kepadatan |
g/cm³ |
3.21 |
|
Kekerasan |
kekerasan Vickers |
2500 |
|
Ukuran butir |
μm |
2~10 |
|
Kemurnian Kimia |
% |
99.99995 |
|
Kapasitas Panas |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
|
Suhu Sublimasi |
℃ |
2700 |
|
Kekuatan Feleksural |
MPa (RT 4 titik) |
415 |
|
Modulus Muda |
Gpa (tikungan 4pt, 1300â) |
430 |
|
Ekspansi Termal (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
|
Konduktivitas termal |
(W/mK) |
300 |
Fitur pembawa Dilapisi SiC untuk Sistem Etsa Plasma ICP
- Hindari pengelupasan dan pastikan lapisan di semua permukaan
Ketahanan oksidasi suhu tinggi: Stabil pada suhu tinggi hingga 1600°C
Kemurnian tinggi: dibuat dengan pengendapan uap kimia CVD di bawah kondisi klorinasi suhu tinggi.
Ketahanan korosi: kekerasan tinggi, permukaan padat dan partikel halus.
Ketahanan korosi: asam, alkali, garam dan reagen organik.
- Mencapai pola aliran gas laminar terbaik
- Menjamin kemerataan profil termal
- Mencegah kontaminasi atau difusi kotoran
Tag Panas: Sistem Etsa Plasma ICP, Cina, Produsen, Pemasok, Pabrik, Disesuaikan, Massal, Canggih, Tahan Lama
Tag Produk
Kategori Terkait
Suseptor Barel
Pembawa Pengetsaan PSS
Pembawa Etsa ICP
Pembawa RTP
Suseptor MOCVD
Silikon Monokristalin
Susceptor Epitaxial LED
Epitaksi SiC
GaN pada Epitaksi SiC
Pemanas Wafer
Suseptor Pancake
Si Epitaksi
Bagian Fotovoltaik
mengirimkan permintaan
Jangan ragu untuk memberikan pertanyaan Anda dalam formulir di bawah ini. Kami akan membalas Anda dalam 24 jam.
