Semicorex adalah produsen dan pemasok MOCVD Cover Star Disc Plate berkualitas tinggi untuk Wafer Epitaxy. Produk kami dirancang khusus untuk memenuhi kebutuhan industri semikonduktor, khususnya dalam menumbuhkan lapisan epitaxial pada chip wafer. Susceptor kami digunakan sebagai pelat tengah di MOCVD, dengan desain berbentuk roda gigi atau cincin. Produk ini sangat tahan terhadap panas tinggi dan korosi, sehingga ideal untuk digunakan di lingkungan yang ekstrim.
MOCVD Cover Star Disc Plate untuk Wafer Epitaxy kami adalah produk unggulan yang memastikan pelapisan pada semua permukaan, sehingga menghindari pengelupasan. Ini memiliki ketahanan oksidasi suhu tinggi yang memastikan stabilitas bahkan pada suhu tinggi hingga 1600°C. Produk ini dibuat dengan kemurnian tinggi melalui pengendapan uap kimia CVD dalam kondisi klorinasi suhu tinggi. Ini memiliki permukaan yang padat dengan partikel halus, membuatnya sangat tahan terhadap korosi dari reagen asam, alkali, garam, dan organik.
MOCVD Cover Star Disc Plate untuk Wafer Epitaxy kami menjamin pola aliran gas laminar terbaik, memastikan kemerataan profil termal. Ini mencegah kontaminasi atau difusi kotoran, memastikan pertumbuhan epitaxial berkualitas tinggi pada chip wafer. Produk kami memiliki harga yang kompetitif, sehingga dapat diakses oleh banyak pelanggan. Kami mencakup banyak pasar Eropa dan Amerika, dan tim kami berdedikasi untuk menyediakan layanan dan dukungan pelanggan yang sangat baik. Kami berusaha keras untuk menjadi mitra jangka panjang Anda dalam menyediakan MOCVD Cover Star Disc Plate untuk Wafer Epitaxy yang berkualitas tinggi dan andal.
Parameter MOCVD Cover Star Disc Plate untuk Wafer Epitaksi
Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC |
||
Properti SiC-CVD |
||
Struktur kristal |
FCC β fase |
|
Kepadatan |
g/cm³ |
3.21 |
Kekerasan |
kekerasan Vickers |
2500 |
Ukuran butir |
μm |
2~10 |
Kemurnian Kimia |
% |
99.99995 |
Kapasitas Panas |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Suhu Sublimasi |
℃ |
2700 |
Kekuatan Feleksural |
MPa (RT 4 titik) |
415 |
Modulus Muda |
Gpa (tikungan 4pt, 1300â) |
430 |
Ekspansi Termal (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Konduktivitas termal |
(W/mK) |
300 |
Fitur MOCVD Cover Star Disc Plate untuk Wafer Epitaksi
- Hindari pengelupasan dan pastikan lapisan di semua permukaan
Ketahanan oksidasi suhu tinggi: Stabil pada suhu tinggi hingga 1600°C
Kemurnian tinggi: dibuat dengan pengendapan uap kimia CVD di bawah kondisi klorinasi suhu tinggi.
Ketahanan korosi: kekerasan tinggi, permukaan padat dan partikel halus.
Ketahanan korosi: asam, alkali, garam dan reagen organik.
- Mencapai pola aliran gas laminar terbaik
- Menjamin kemerataan profil termal
- Mencegah kontaminasi atau difusi kotoran