Tahap paling dasar dari semua proses adalah proses oksidasi. Proses oksidasinya adalah dengan menempatkan wafer silikon dalam atmosfer oksidan seperti oksigen atau uap air untuk perlakuan panas suhu tinggi (800~1200℃), dan terjadi reaksi kimia pada permukaan wafer silikon untuk membentuk film oksida......
Baca selengkapnyaPertumbuhan epitaksi GaN pada substrat GaN menghadirkan tantangan unik, meskipun bahan tersebut memiliki sifat yang lebih unggul jika dibandingkan dengan silikon. Epitaksi GaN menawarkan keunggulan signifikan dalam hal lebar celah pita, konduktivitas termal, dan kerusakan medan listrik dibandingkan ......
Baca selengkapnyaEtsa adalah proses penting dalam pembuatan semikonduktor. Proses ini dapat dikategorikan menjadi dua jenis: etsa kering dan etsa basah. Setiap teknik memiliki kelebihan dan keterbatasannya masing-masing, sehingga penting untuk memahami perbedaan di antara keduanya. Jadi, bagaimana cara memilih metod......
Baca selengkapnyaSemikonduktor generasi ketiga saat ini terutama didasarkan pada Silicon Carbide, dengan substrat menyumbang 47% dari biaya perangkat, dan epitaksi menyumbang 23%, dengan total sekitar 70% dan merupakan bagian paling penting dari industri manufaktur perangkat SiC.
Baca selengkapnya