> Berita

Berita

Peran Penting Substrat SiC dan Pertumbuhan Kristal dalam Industri Semikonduktor

Dalam rantai industri silikon karbida (SiC), pemasok substrat mempunyai pengaruh yang signifikan, terutama karena distribusi nilai. Substrat SiC menyumbang 47% dari nilai total, diikuti oleh lapisan epitaksi sebesar 23%, sedangkan desain dan manufaktur perangkat menyumbang 30% sisanya. Rantai nilai ......

Baca selengkapnya

Penerapan SiC dan GaN pada kendaraan listrik

SiC MOSFET adalah transistor yang menawarkan kepadatan daya tinggi, peningkatan efisiensi, dan tingkat kegagalan rendah pada suhu tinggi. Keunggulan SiC MOSFET ini membawa banyak manfaat bagi kendaraan listrik (EV), termasuk jarak tempuh yang lebih jauh, pengisian daya yang lebih cepat, dan potensi ......

Baca selengkapnya

Semikonduktor Generasi ke-4 Gallium Oksida/β-Ga2O3

Bahan semikonduktor generasi pertama terutama diwakili oleh silikon (Si) dan germanium (Ge), yang mulai bangkit pada tahun 1950-an. Germanium dominan pada masa-masa awal dan terutama digunakan pada transistor dan fotodetektor bertegangan rendah, frekuensi rendah, dan berdaya menengah, namun karena k......

Baca selengkapnya

Pertumbuhan Epitaksi Bebas Cacat dan Dislokasi Ketidaksesuaian

Pertumbuhan epitaksi bebas cacat terjadi ketika satu kisi kristal memiliki konstanta kisi yang hampir sama dengan yang lain. Pertumbuhan terjadi ketika lokasi kisi dari dua kisi pada wilayah antarmuka kira-kira sama, hal ini mungkin terjadi jika terdapat ketidaksesuaian kisi yang kecil (kurang dari ......

Baca selengkapnya

Proses Oksidasi

Tahap paling dasar dari semua proses adalah proses oksidasi. Proses oksidasinya adalah dengan menempatkan wafer silikon dalam atmosfer oksidan seperti oksigen atau uap air untuk perlakuan panas suhu tinggi (800~1200℃), dan terjadi reaksi kimia pada permukaan wafer silikon untuk membentuk film oksida......

Baca selengkapnya

Mengapa Epitaksi Gllium Nitrida (GaN) Tidak Tumbuh pada substrat GaN?

Pertumbuhan epitaksi GaN pada substrat GaN menghadirkan tantangan unik, meskipun bahan tersebut memiliki sifat yang lebih unggul jika dibandingkan dengan silikon. Epitaksi GaN menawarkan keunggulan signifikan dalam hal lebar celah pita, konduktivitas termal, dan kerusakan medan listrik dibandingkan ......

Baca selengkapnya

<...9 10 11 12 13...30 >