> Berita

Berita

Pemotongan SiC

Silikon karbida (SiC) sangat disukai dalam industri semikonduktor karena sifat fisik dan kimianya yang sangat baik. Namun, kekerasan dan kerapuhan SiC yang tinggi menimbulkan tantangan besar dalam pemrosesannya.

Baca selengkapnya

Wafer Epitaxial Gallium Nitrida: Pengantar Proses Fabrikasi

Pertumbuhan wafer epitaksi Gallium Nitrida (GaN) adalah proses yang kompleks, seringkali menggunakan metode dua langkah. Metode ini melibatkan beberapa tahapan penting, termasuk pemanggangan suhu tinggi, pertumbuhan lapisan penyangga, rekristalisasi, dan anil. Dengan mengontrol suhu secara cermat di......

Baca selengkapnya

Apa Perbedaan Antara Wafer Epitaxial dan Diffused

Wafer epitaksial dan wafer terdifusi merupakan bahan penting dalam pembuatan semikonduktor, namun keduanya berbeda secara signifikan dalam proses fabrikasi dan aplikasi targetnya. Artikel ini menyelidiki perbedaan utama antara jenis wafer ini.

Baca selengkapnya

Alur Proses Inti Substrat Silikon Karbida

Substrat silikon karbida adalah senyawa bahan kristal tunggal semikonduktor yang tersusun dari dua unsur, karbon dan silikon. Ia memiliki karakteristik celah pita yang besar, konduktivitas termal yang tinggi, kekuatan medan kerusakan kritis yang tinggi, dan laju penyimpangan saturasi elektron yang t......

Baca selengkapnya

Peran Penting Substrat SiC dan Pertumbuhan Kristal dalam Industri Semikonduktor

Dalam rantai industri silikon karbida (SiC), pemasok substrat mempunyai pengaruh yang signifikan, terutama karena distribusi nilai. Substrat SiC menyumbang 47% dari nilai total, diikuti oleh lapisan epitaksi sebesar 23%, sedangkan desain dan manufaktur perangkat menyumbang 30% sisanya. Rantai nilai ......

Baca selengkapnya

Penerapan SiC dan GaN pada kendaraan listrik

SiC MOSFET adalah transistor yang menawarkan kepadatan daya tinggi, peningkatan efisiensi, dan tingkat kegagalan rendah pada suhu tinggi. Keunggulan SiC MOSFET ini membawa banyak manfaat bagi kendaraan listrik (EV), termasuk jarak tempuh yang lebih jauh, pengisian daya yang lebih cepat, dan potensi ......

Baca selengkapnya

<...16 17 18 19 20...37 >