- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berita
Demistifikasi Teknologi Electrostatic Chuck (ESC) dalam Penanganan Wafer
Chuck elektrostatis (ESC) telah menjadi sangat diperlukan dalam manufaktur semikonduktor dan produksi layar panel datar, menawarkan metode yang bebas kerusakan dan sangat dapat dikontrol untuk menahan dan memposisikan wafer dan substrat halus selama langkah pemrosesan penting. Artikel ini menyelidik......
Baca selengkapnya
Heteroepitaxy 3C-SiC: Suatu Tinjauan
Perkembangan 3C-SiC, suatu politipe silikon karbida yang signifikan, mencerminkan kemajuan berkelanjutan dalam ilmu material semikonduktor. Pada tahun 1980-an, Nishino dkk. pertama kali mencapai film 3C-SiC setebal 4 μm pada substrat silikon menggunakan deposisi uap kimia (CVD) [1], yang meletakkan ......
Baca selengkapnya
SiC Tebal CVD Kemurnian Tinggi: Wawasan Proses untuk Pertumbuhan Material
Lapisan silikon karbida (SiC) yang tebal dan memiliki kemurnian tinggi, biasanya melebihi 1 mm, merupakan komponen penting dalam berbagai aplikasi bernilai tinggi, termasuk fabrikasi semikonduktor dan teknologi ruang angkasa. Artikel ini mempelajari proses Deposisi Uap Kimia (CVD) untuk memproduksi ......
Baca selengkapnya
