- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berita
Sejarah Singkat Silikon Karbida dan Penerapan Pelapis Silikon Karbida
Sejarah silikon karbida (SiC) dimulai pada tahun 1891, ketika Edward Goodrich Acheson secara tidak sengaja menemukannya ketika mencoba mensintesis berlian buatan. Acheson memanaskan campuran tanah liat (aluminosilikat) dan bubuk kokas (karbon) dalam tungku listrik. Alih-alih berlian yang diharapkan,......
Baca selengkapnya
Kesulitan dalam persiapan GaN
Sebagai bahan semikonduktor generasi ketiga, Gallium Nitrida sering disamakan dengan Silicon Carbide. Gallium Nitrida masih menunjukkan keunggulannya dengan celah pita yang besar, tegangan tembus yang tinggi, konduktivitas termal yang tinggi, kecepatan penyimpangan elektron jenuh yang tinggi, dan ke......
Baca selengkapnya
Pengantar Semikonduktor Generasi Ketiga: GaN dan Teknologi Epitaxial Terkait
Material GaN menjadi terkenal setelah penganugerahan Hadiah Nobel Fisika 2014 untuk LED biru. Awalnya mulai menarik perhatian publik melalui aplikasi pengisian cepat pada perangkat elektronik konsumen, amplifier daya berbasis GaN dan perangkat RF juga diam-diam muncul sebagai komponen penting dalam ......
Baca selengkapnya
Substrat vs. Epitaksi: Peran Kunci dalam Manufaktur Semikonduktor
Dalam bidang teknologi semikonduktor dan mikroelektronika, konsep substrat dan epitaksi mempunyai arti penting. Mereka memainkan peran penting dalam proses pembuatan perangkat semikonduktor. Artikel ini akan mempelajari perbedaan antara substrat semikonduktor dan epitaksi, mencakup definisi, fungsi......
Baca selengkapnya
Parameter Utama Substrat Silikon Karbida (SiC).
Proses produksi Silicon Carbide (SiC) meliputi persiapan substrat dan epitaksi dari sisi material, diikuti dengan desain dan manufaktur chip, pengemasan perangkat, dan terakhir, distribusi ke pasar aplikasi hilir. Di antara tahapan ini, pemrosesan bahan substrat merupakan aspek paling menantang dala......
Baca selengkapnya
