- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berita
Tungku Pertumbuhan Kristal Silikon Karbida (SiC).
Pertumbuhan kristal adalah penghubung inti dalam produksi substrat Silikon Karbida, dan peralatan intinya adalah tungku pertumbuhan kristal. Mirip dengan tungku pertumbuhan kristal tingkat silikon kristal tradisional, struktur tungku tidak terlalu rumit dan terutama terdiri dari badan tungku, sistem......
Baca selengkapnya
Tantangan Penerapan dan Pengembangan Komponen Grafit Berlapis TaC
Bahan semikonduktor celah pita lebar generasi ketiga, seperti Gallium Nitride (GaN) dan Silicon Carbide (SiC), terkenal dengan konversi optoelektronik dan kemampuan transmisi sinyal gelombang mikro yang luar biasa. Bahan-bahan ini memenuhi persyaratan perangkat elektronik frekuensi tinggi, suhu ting......
Baca selengkapnya
Aplikasi Silikon Karbida
Silikon karbida memiliki banyak aplikasi di industri baru dan industri tradisional. Saat ini, pasar semikonduktor global telah melampaui 100 miliar yuan. Diperkirakan pada tahun 2025, penjualan global bahan manufaktur semikonduktor akan mencapai 39,5 miliar dolar AS, dimana pasar semikonduktor silik......
Baca selengkapnya
Apa itu Kapal SiC, dan Bagaimana Macam Proses Pembuatannya?
Perahu SiC, kependekan dari perahu silikon karbida, adalah aksesori tahan suhu tinggi yang digunakan dalam tabung tungku untuk membawa wafer selama pemrosesan suhu tinggi. Karena sifat silikon karbida yang luar biasa seperti ketahanan terhadap suhu tinggi, korosi kimia, dan stabilitas termal yang sa......
Baca selengkapnya
Pengantar Proses Implantasi dan Annealing Ion Silikon Karbida
Dalam fabrikasi perangkat daya silikon tradisional, difusi suhu tinggi dan implantasi ion merupakan metode utama untuk pengendalian dopan, masing-masing dengan kelebihan dan kekurangannya. Biasanya, difusi suhu tinggi ditandai dengan kesederhanaan, efektivitas biaya, profil distribusi dopan isotropi......
Baca selengkapnya
