- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berita
Metode Pertumbuhan Kristal AlN
AlN, sebagai bahan semikonduktor generasi ketiga, tidak hanya merupakan bahan cahaya biru dan sinar ultraviolet yang penting, tetapi juga bahan pengemasan, isolasi dielektrik, dan insulasi penting untuk perangkat elektronik dan sirkuit terpadu, terutama cocok untuk perangkat bersuhu tinggi dan berda......
Baca selengkapnya
Wadah Pelapis TaC untuk Pertumbuhan Kristal AlN
Bahan semikonduktor generasi ketiga AlN termasuk dalam semikonduktor celah pita langsung, bandwidthnya 6,2 eV, dengan konduktivitas termal yang tinggi, resistivitas, kekuatan medan tembus, serta stabilitas kimia dan termal yang sangat baik, tidak hanya cahaya biru yang penting, bahan ultraviolet , a......
Baca selengkapnya
Pelapis Tantalum karbida dalam industri semikonduktor
Perkembangan LED biru dan UV bertenaga tinggi telah memungkinkan terciptanya tampilan TV LED penuh warna, serta pencahayaan otomotif dan domestik LED putih. LED ini didasarkan pada Gallium Nitrida, yang diendapkan pada wafer substrat yang didukung oleh susceptor grafit berlapis CVD SiC menggunakan p......
Baca selengkapnya
