> Berita

Berita

Pertumbuhan Epitaksi Bebas Cacat dan Dislokasi Ketidaksesuaian

Pertumbuhan epitaksi bebas cacat terjadi ketika satu kisi kristal memiliki konstanta kisi yang hampir sama dengan yang lain. Pertumbuhan terjadi ketika lokasi kisi dari dua kisi pada wilayah antarmuka kira-kira sama, hal ini mungkin terjadi jika terdapat ketidaksesuaian kisi yang kecil (kurang dari ......

Baca selengkapnya

Proses Oksidasi

Tahap paling dasar dari semua proses adalah proses oksidasi. Proses oksidasinya adalah dengan menempatkan wafer silikon dalam atmosfer oksidan seperti oksigen atau uap air untuk perlakuan panas suhu tinggi (800~1200℃), dan terjadi reaksi kimia pada permukaan wafer silikon untuk membentuk film oksida......

Baca selengkapnya

Mengapa Epitaksi Gllium Nitrida (GaN) Tidak Tumbuh pada substrat GaN?

Pertumbuhan epitaksi GaN pada substrat GaN menghadirkan tantangan unik, meskipun bahan tersebut memiliki sifat yang lebih unggul jika dibandingkan dengan silikon. Epitaksi GaN menawarkan keunggulan signifikan dalam hal lebar celah pita, konduktivitas termal, dan kerusakan medan listrik dibandingkan ......

Baca selengkapnya

Bagaimana melakukan Proses CMP

Dalam proses pembuatan wafer silikon, setelah batang kristal dipotong menjadi wafer silikon, maka perlu dipoles dan dibersihkan untuk mendapatkan wafer silikon kristal tunggal seperti cermin.

Baca selengkapnya

Apa itu Proses CMP

Dalam manufaktur semikonduktor, kerataan tingkat atom biasanya digunakan untuk menggambarkan kerataan global wafer, dengan satuan nanometer (nm).

Baca selengkapnya

Apa Kelebihan dan Kekurangan Etsa Kering dan Etsa Basah?

Etsa adalah proses penting dalam pembuatan semikonduktor. Proses ini dapat dikategorikan menjadi dua jenis: etsa kering dan etsa basah. Setiap teknik memiliki kelebihan dan keterbatasannya masing-masing, sehingga penting untuk memahami perbedaan di antara keduanya. Jadi, bagaimana cara memilih metod......

Baca selengkapnya

<...19 20 21 22 23...40 >