- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berita
Memperkenalkan teknologi inti perahu grafit
Graphite Boat, berdiri di garis depan inovasi teknologi di industrinya, menampilkan serangkaian kemajuan inovatif yang dirancang untuk meningkatkan kinerja, kemurnian, dan masa pakai. Di bawah ini, kami mempelajari teknologi inti yang menentukan keunggulan perahu grafit:
Baca selengkapnya
Grafit Berpori untuk Pertumbuhan Kristal SiC Berkualitas Tinggi dengan Metode PVT
Silicon Carbide (SiC) telah muncul sebagai material utama dalam bidang teknologi semikonduktor, menawarkan sifat luar biasa yang membuatnya sangat diminati untuk berbagai aplikasi elektronik dan optoelektronik. Produksi kristal tunggal SiC berkualitas tinggi sangat penting untuk meningkatkan kemampu......
Baca selengkapnya
3 metode pencetakan grafit
Empat metode pencetakan utama untuk pencetakan grafit adalah: pencetakan ekstrusi, pencetakan, pencetakan getaran, dan pencetakan isostatik. Sebagian besar bahan karbon/grafit yang umum di pasaran dicetak dengan ekstrusi dan pencetakan panas (dingin atau panas), dan pencetakan isostatik adalah metod......
Baca selengkapnya
Apa itu grafit isostatik?
Grafit khusus adalah grafit dengan fraksi massa karbon lebih besar dari 99,99%, juga dikenal sebagai "tiga grafit tinggi" (kekuatan tinggi, kepadatan tinggi, kemurnian tinggi). Hal ini ditandai dengan kekuatan tinggi, kepadatan tinggi, kemurnian tinggi, stabilitas kimia tinggi, konduktivitas termal ......
Baca selengkapnya
Memperkenalkan Transportasi Uap Fisik (PVT)
Karakteristik SiC sendiri menentukan pertumbuhan kristal tunggalnya lebih sulit. Karena tidak adanya fase cair Si:C=1:1 pada tekanan atmosfer, proses pertumbuhan yang lebih matang yang diadopsi oleh arus utama industri semikonduktor tidak dapat digunakan untuk menumbuhkan metode pertumbuhan yang leb......
Baca selengkapnya
Merilis Produk Epitaxial GaN HEMT Berdaya Tinggi 850V
Pada bulan November 2023, Semicorex merilis produk epitaksi GaN-on-Si 850V untuk aplikasi perangkat daya HEMT tegangan tinggi dan arus tinggi. Dibandingkan dengan substrat lain untuk perangkat daya HMET, GaN-on-Si memungkinkan ukuran wafer yang lebih besar dan aplikasi yang lebih beragam, dan juga d......
Baca selengkapnya
