Produk

Dalam hal proses penanganan wafer seperti epitaksi dan MOCVD, Lapisan SiC Suhu Tinggi Semicorex untuk Ruang Etch Plasma adalah pilihan utama. Operator kami memberikan ketahanan panas yang unggul, bahkan keseragaman termal, dan ketahanan kimia yang tahan lama berkat lapisan kristal SiC kami yang halus.

Baki Etsa Plasma ICP Semicorex dirancang khusus untuk proses penanganan wafer suhu tinggi seperti epitaksi dan MOCVD. Dengan ketahanan oksidasi suhu tinggi yang stabil hingga 1600°C, pembawa kami memberikan profil termal yang merata, pola aliran gas laminar, dan mencegah difusi kontaminasi atau kotoran.

Pembawa SiC Coated Semicorex untuk Sistem Etsa Plasma ICP adalah solusi yang andal dan hemat biaya untuk proses penanganan wafer suhu tinggi seperti epitaksi dan MOCVD. Operator kami dilengkapi lapisan kristal SiC halus yang memberikan ketahanan panas unggul, bahkan keseragaman termal, dan ketahanan kimia yang tahan lama.

Susceptor berlapis silikon karbida Semicorex untuk Induktif-Coupled Plasma (ICP) dirancang khusus untuk proses penanganan wafer suhu tinggi seperti epitaksi dan MOCVD. Dengan ketahanan oksidasi suhu tinggi yang stabil hingga 1600°C, operator kami memastikan profil termal yang merata, pola aliran gas laminar, dan mencegah difusi kontaminasi atau kotoran.

Tempat wafer etsa ICP Semicorex adalah solusi sempurna untuk proses penanganan wafer suhu tinggi seperti epitaksi dan MOCVD. Dengan ketahanan oksidasi suhu tinggi yang stabil hingga 1600°C, operator kami memastikan profil termal yang merata, pola aliran gas laminar, dan mencegah difusi kontaminasi atau kotoran.

Pelat Pembawa Etsa ICP Semicorex adalah solusi sempurna untuk penanganan wafer dan proses pengendapan film tipis yang menuntut. Produk kami memberikan ketahanan panas dan korosi yang unggul, bahkan keseragaman termal, dan pola aliran gas laminar. Dengan permukaan yang bersih dan halus, wadah kami sempurna untuk menangani wafer murni.