Pembawa wafer yang dilapisi sic

Pembawa wafer berlapis semikorex sic adalah komponen canggih yang mendukung wafer untuk proses suhu tinggi dalam aplikasi semikonduktor seperti pertumbuhan epitaxial, difusi, dan CVD. Operator memberikan manfaat struktural dari grafit kemurnian tinggi yang dikombinasikan dengan manfaat permukaan maksimum dengan menggunakan padat dan seragamLapisan sicUntuk stabilitas termal yang optimal, ketahanan kimia, dan kekuatan mekanik di bawah kondisi pemrosesan yang sulit.

Inti grafit dengan kemurnian tinggi untuk konduktivitas termal yang optimal

Operator wafer yang dilapisi SiC adalah bahan substrat dari gandum ultra-halus, grafit dengan kemurnian tinggi. Ini adalah konduktor termal yang efisien, menjadi ringan dan dapat dikerjakan, dapat dibuat menjadi geometri kompleks yang diperlukan oleh ukuran wafer dan faktor proses yang unik. Graphite menawarkan pemanasan yang seragam pada permukaan wafer yang membatasi terjadinya gradien termal dan cacat pemrosesan termal.

Lapisan SIC yang padat untuk perlindungan permukaan dan kompatibilitas proses

Pembawa grafit dilapisi dengan kemurnian tinggi, CVD silicon carbide. Lapisan SIC memberikan perlindungan bebas pori yang kedapaian terhadap korosi, oksidasi dan kontaminasi gas dari spesies seperti hidrogen, klorin dan silan. Hasil akhirnya adalah pembawa tangguh yang tidak partikulatif rendah yang tidak menurunkan atau kehilangan stabilitas dimensi, memilih untuk mengalami banyak siklus termal dan mewakili penurunan potensi kontaminasi wafer secara signifikan.

Manfaat dan Fitur Utama

Resistensi termal: Pelapisan SiC stabil untuk suhu melebihi 1600 ° C, yang dioptimalkan untuk epitaks suhu tinggi dan kebutuhan difusi.

Tahan bahan kimia yang sangat baik: ia menahan semua gas proses korosif dan bahan kimia pembersih, dan memungkinkan masa hidup yang lebih lama dan lebih sedikit waktu henti.

Generasi Partikel Rendah: Permukaan SIC meminimalkan pengelupasan dan pelepasan partikel, dan terus membersihkan lingkungan proses yang sangat penting untuk hasil perangkat.

Kontrol Dimensi: Ditentukan secara tepat untuk menutup toleransi untuk memastikan dukungan wafer yang seragam sehingga dapat ditangani secara otomatis dengan wafer.

Pengurangan Biaya: Siklus hidup yang lebih lama dan kebutuhan pemeliharaan yang lebih rendah memberikan total biaya kepemilikan (TCO) yang lebih rendah daripada grafit tradisional atau pembawa telanjang.

Aplikasi:

Pembawa wafer yang dilapisi SiC banyak digunakan dalam pembuatan semikonduktor daya, semikonduktor senyawa (seperti GAN, SIC), MEMS, LED, dan perangkat lain yang membutuhkan pemrosesan suhu tinggi di lingkungan kimia yang agresif. Mereka sangat penting dalam reaktor epitaxial, di mana kebersihan permukaan, daya tahan, dan keseragaman termal secara langsung mempengaruhi kualitas wafer dan efisiensi produksi.

Kustomisasi dan Kontrol Kualitas

SemicorexSic dilapisiOperator wafer diproduksi di bawah protokol kontrol kualitas yang ketat. Kami juga memiliki fleksibilitas dengan ukuran dan konfigurasi standar, dan kami dapat melakukan solusi khusus yang memenuhi kebutuhan pelanggan. Apakah Anda memiliki format wafer 4 inci atau 12 inci, kami dapat mengoptimalkan pembawa wafer untuk reaktor horizontal atau vertikal, pemrosesan batch atau wafer tunggal, dan resep epitaxy spesifik.