Tabung Tungku Difusi SiC

Sifat material canggih dari Tabung Tungku Difusi Semicorex SiC, termasuk kekuatan lentur tinggi, ketahanan oksidasi dan korosi yang luar biasa, ketahanan aus yang tinggi, koefisien gesekan rendah, sifat mekanik suhu tinggi yang unggul, dan kemurnian sangat tinggi, menjadikannya sangat diperlukan dalam industri semikonduktor , khususnya untuk aplikasi tungku difusi. Kami di Semicorex berdedikasi untuk memproduksi dan memasok Tabung Tungku Difusi SiC berkinerja tinggi yang memadukan kualitas dengan efisiensi biaya.**

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Kekuatan Lentur Tinggi: Tabung Tungku Difusi Semicorex SiC menawarkan kekuatan lentur melebihi 200MPa, memastikan kinerja mekanis dan integritas struktural yang luar biasa dalam kondisi tekanan tinggi yang khas pada proses manufaktur semikonduktor.

Ketahanan Oksidasi yang Luar Biasa: Tabung Tungku Difusi SiC ini menunjukkan ketahanan oksidasi yang unggul, yang terbaik di antara semua keramik non-oksida. Karakteristik ini memastikan stabilitas dan kinerja jangka panjang di lingkungan bersuhu tinggi, mengurangi risiko degradasi dan memperpanjang umur operasional tabung.

Ketahanan Korosi yang Sangat Baik: Kelembaman kimia dari Tabung Tungku Difusi SiC memberikan ketahanan yang sangat baik terhadap korosi, menjadikan tabung ini ideal untuk digunakan dalam lingkungan kimia keras yang sering ditemui dalam pemrosesan semikonduktor.

Ketahanan Aus yang Tinggi: Tabung Tungku Difusi SiC sangat tahan terhadap keausan, yang sangat penting untuk menjaga stabilitas dimensi dan mengurangi kebutuhan perawatan selama penggunaan jangka panjang dalam kondisi abrasif.

Koefisien Gesekan Rendah: Koefisien gesekan rendah dari Tabung Tungku Difusi SiC mengurangi keausan pada tabung dan wafer, memastikan kelancaran pengoperasian dan meminimalkan risiko kontaminasi selama pemrosesan semikonduktor.

Sifat Mekanik Suhu Tinggi yang Unggul: Tabung Tungku Difusi SiC menunjukkan sifat mekanik suhu tinggi terbaik di antara bahan keramik yang dikenal, termasuk kekuatan dan ketahanan mulur yang luar biasa. Hal ini membuatnya sangat cocok untuk aplikasi yang memerlukan stabilitas jangka panjang pada suhu tinggi.

Dengan Lapisan CVD: Lapisan SiC Deposisi Uap Kimia Semicorex (CVD) mencapai tingkat kemurnian lebih besar dari 99,9995%, dengan kandungan pengotor di bawah 5ppm dan pengotor logam berbahaya di bawah 1ppm. Proses pelapisan CVD memastikan tabung memenuhi persyaratan ketat vakum 2-3Torr, yang penting untuk lingkungan manufaktur semikonduktor presisi tinggi.

Aplikasi dalam Tungku Difusi: Tabung Tungku Difusi SiC ini dirancang khusus untuk digunakan dalam tungku difusi, yang memainkan peran penting dalam proses suhu tinggi seperti doping dan oksidasi. Sifat materialnya yang canggih memastikan bahan tersebut dapat bertahan dalam kondisi yang menuntut proses ini, sehingga meningkatkan efisiensi dan keandalan produksi semikonduktor.