Cincin Fokus SiC dengan kemurnian tinggi dan canggih dari Semicorex dibuat untuk tahan terhadap lingkungan ekstrem di ruang etsa plasma (atau etsa kering). Kami fokus pada industri semikonduktor seperti lapisan silikon karbida dan semikonduktor epitaksi. Produk kami memiliki keunggulan harga yang bagus dan mencakup banyak pasar Eropa dan Amerika. Kami berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di China.
Pasokan Semicorex SiC Focus Rings benar-benar stabil untuk RTA, RTP, atau pembersihan bahan kimia keras. Cincin Fokus SiC atau cincin tepi dirancang untuk meningkatkan keseragaman etsa di sekitar tepi atau perimeter wafer. Minimalkan kontaminasi dan pemeliharaan tak terjadwal dengan komponen kemurnian tinggi yang direkayasa untuk kerasnya pemrosesan etsa plasma. Cincin Fokus SiC kami dengan Lapisan SiC adalah lapisan silikon karbida (SiC) yang padat dan tahan aus. Ini memiliki sifat tahan korosi dan panas yang tinggi serta konduktivitas termal yang sangat baik. Kami menerapkan SiC dalam lapisan tipis ke grafit menggunakan proses deposisi uap kimia (CVD).
Parameter Cincin Fokus SiC
Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC |
||
Properti SiC-CVD |
||
Struktur kristal |
FCC β fase |
|
Kepadatan |
g/cm³ |
3.21 |
Kekerasan |
kekerasan Vickers |
2500 |
Ukuran butir |
μm |
2~10 |
Kemurnian Kimia |
% |
99.99995 |
Kapasitas Panas |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Suhu Sublimasi |
℃ |
2700 |
Kekuatan Feleksural |
MPa (RT 4 titik) |
415 |
Modulus Muda |
Gpa (tikungan 4pt, 1300â) |
430 |
Ekspansi Termal (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Konduktivitas termal |
(W/mK) |
300 |
Fitur Cincin Fokus SiC
- Pelapis CVD Silicon Carbide untuk meningkatkan masa pakai.
- Isolasi termal yang terbuat dari karbon kaku murni berperforma tinggi.
- Pemanas dan pelat komposit Karbon/Karbon.- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki konduktivitas termal yang tinggi, dan sifat distribusi panas yang sangat baik.
- Lapisan grafit dan SiC dengan kemurnian tinggi untuk ketahanan lubang jarum dan masa pakai yang lebih lama