Cincin Fokus SiC

Cincin Fokus SiC dengan kemurnian tinggi dan canggih dari Semicorex dibuat untuk tahan terhadap lingkungan ekstrem dalam ruang etsa plasma (atau etsa kering). Kami fokus pada industri semikonduktor seperti lapisan silikon karbida dan semikonduktor epitaksi. Produk kami memiliki keunggulan harga yang bagus dan mencakup banyak pasar Eropa dan Amerika. Kami berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di Tiongkok.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Semicorex memasok SiC Focus Rings sangat stabil untuk RTA, RTP, atau pembersihan bahan kimia keras. Cincin Fokus SiC atau cincin tepi dirancang untuk meningkatkan keseragaman etsa di sekitar tepi atau perimeter wafer. Minimalkan kontaminasi dan pemeliharaan tak terjadwal dengan komponen dengan kemurnian tinggi yang dirancang untuk pemrosesan etsa plasma yang ketat. Cincin Fokus SiC kami dengan Lapisan SiC adalah lapisan silikon karbida (SiC) yang padat dan tahan aus. Ini memiliki sifat tahan korosi dan panas yang tinggi serta konduktivitas termal yang sangat baik. Kami mengaplikasikan SiC dalam lapisan tipis pada grafit menggunakan proses deposisi uap kimia (CVD).

Parameter Cincin Fokus SiC

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	Fase FCC β
Kepadatan	gram/cm³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Ukuran Butir	μm	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Felekural	MPa (RT 4 poin)	415
Modulus Young	IPK (tikungan 4pt, 1300℃)	430
Ekspansi Termal (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300

Fitur Cincin Fokus SiC

- Lapisan Silicon Carbide CVD untuk meningkatkan masa pakai.

- Isolasi termal terbuat dari karbon kaku murni berkinerja tinggi.

- Pemanas dan pelat komposit karbon/karbon. - Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki konduktivitas termal yang tinggi, dan sifat distribusi panas yang sangat baik.

- Grafit dengan kemurnian tinggi dan lapisan SiC untuk ketahanan lubang jarum dan masa pakai yang lebih lama