pelat ICP SiC

Pelat ICP Semicorex SiC dibuat dari silikon karbida, yang dikenal dengan sifat fisik dan kimianya yang luar biasa. Sifatnya yang kokoh memastikan ketahanan yang unggul terhadap guncangan termal, oksidasi, dan korosi, yang merupakan faktor penting dalam lingkungan pemrosesan semikonduktor yang keras. Penggunaan bahan SiC secara signifikan meningkatkan masa pakai pelat, mengurangi frekuensi penggantian sehingga menurunkan biaya pemeliharaan dan waktu henti di fasilitas produksi.

Pelat SiC ICP memainkan peran penting dalam proses etsa dan deposisi plasma, yang merupakan hal mendasar dalam pembuatan wafer semikonduktor. Selama proses ini, konduktivitas dan stabilitas termal yang tinggi pada pelat SiC ICP memastikan kontrol suhu yang tepat dan distribusi plasma yang seragam, yang sangat penting untuk mencapai hasil etsa dan pengendapan yang konsisten dan akurat. Ketepatan ini sangat penting dalam produksi perangkat semikonduktor yang semakin kecil dan kompleks, dimana penyimpangan kecil sekalipun dapat menyebabkan masalah kinerja yang signifikan.

Salah satu fitur menonjol dari pelat SiC ICP adalah kekuatan mekaniknya yang luar biasa. Kekerasan dan kekakuan yang melekat pada silikon karbida memberikan integritas struktural yang sangat baik, bahkan dalam kondisi ekstrem. Ketangguhan ini berarti kinerja yang lebih stabil dan andal selama proses plasma berintensitas tinggi, meminimalkan risiko kegagalan komponen dan memastikan pengoperasian yang berkelanjutan dan tanpa gangguan. Selain itu, sifat material yang ringan dibandingkan dengan bahan logam tradisional berkontribusi pada penanganan dan pemasangan yang lebih mudah, sehingga semakin meningkatkan efisiensi operasional.

Selain atribut fisiknya, pelat SiC ICP menawarkan stabilitas kimia yang sangat baik. Ini menunjukkan ketahanan yang luar biasa terhadap spesies plasma reaktif, yang lazim di lingkungan pengetsaan dan pengendapan semikonduktor. Ketahanan ini memastikan bahwa pelat tersebut mempertahankan integritas dan kinerjanya dalam jangka waktu lama, bahkan dengan adanya bahan kimia agresif yang digunakan dalam proses plasma. Akibatnya, pelat SiC ICP menyediakan lingkungan pemrosesan yang lebih bersih, sehingga mengurangi kemungkinan kontaminasi dan cacat pada wafer semikonduktor.