Grafit pelapis TaC dibuat dengan melapisi permukaan substrat grafit dengan kemurnian tinggi dengan lapisan halus tantalum karbida melalui proses Deposisi Uap Kimia (CVD) yang dipatenkan.
Tantalum karbida (TaC) merupakan senyawa yang terdiri dari tantalum dan karbon. Ia memiliki konduktivitas listrik logam dan titik leleh yang sangat tinggi, menjadikannya bahan keramik tahan api yang dikenal karena kekuatan, kekerasan, serta ketahanan terhadap panas dan aus. Titik leleh Tantalum Karbida mencapai puncaknya sekitar 3880°C tergantung pada kemurniannya dan merupakan salah satu titik leleh tertinggi di antara senyawa biner. Hal ini menjadikannya alternatif yang menarik ketika tuntutan suhu yang lebih tinggi melebihi kemampuan kinerja yang digunakan dalam proses epitaksi semikonduktor majemuk seperti MOCVD dan LPE.
Data material Lapisan Semicorex TaC
Proyek |
Parameter |
Kepadatan |
14,3 (gram/cm³) |
Emisivitas |
0.3 |
KTE (×10-6/K) |
6.3 |
Kekerasan (HK) |
2000 |
Resistansi (Ohm-cm) |
1×10-5 |
Stabilitas Termal |
<2500℃ |
Perubahan Dimensi Grafit |
-10~-20um (nilai referensi) |
Ketebalan Lapisan |
≥20um nilai tipikal (35um±10um) |
|
|
Di atas adalah nilai-nilai tipikal |
|
Cincin Panduan Semicorex Tantalum Carbide adalah cincin grafit yang dilapisi dengan tantalum karbida, digunakan dalam tungku pertumbuhan kristal silikon karbida untuk dukungan kristal benih, optimalisasi suhu, dan peningkatan stabilitas pertumbuhan. Pilih Semicorex karena material dan desainnya yang canggih, yang secara signifikan meningkatkan efisiensi dan kualitas pertumbuhan kristal.*
Baca selengkapnyamengirimkan permintaanSemicorex Tantalum Carbide Ring adalah cincin grafit yang dilapisi dengan tantalum karbida, digunakan sebagai cincin pemandu dalam tungku pertumbuhan kristal silikon karbida untuk memastikan kontrol suhu dan aliran gas yang tepat. Pilih Semicorex karena teknologi pelapisannya yang canggih dan bahan berkualitas tinggi, menghasilkan komponen yang tahan lama dan andal yang meningkatkan efisiensi pertumbuhan kristal dan masa pakai produk.*
Baca selengkapnyamengirimkan permintaanBaki Wafer Pelapis Semicorex TaC harus dirancang untuk tahan terhadap tantangan kondisi ekstrem di dalam ruang reaksi, termasuk suhu tinggi dan lingkungan yang reaktif secara kimia.**
Baca selengkapnyamengirimkan permintaanPelat Pelapis Semicorex TaC menonjol sebagai komponen berkinerja tinggi untuk proses pertumbuhan epitaksi yang menuntut dan lingkungan manufaktur semikonduktor lebih lanjut. Dengan serangkaian sifat unggulnya, pada akhirnya dapat meningkatkan produktivitas dan efektivitas biaya dari proses fabrikasi semikonduktor tingkat lanjut.**
Baca selengkapnyamengirimkan permintaanSemicorex LPE SiC-Epi Halfmoon adalah aset yang sangat diperlukan dalam dunia epitaksi, memberikan solusi kuat terhadap tantangan yang ditimbulkan oleh suhu tinggi, gas reaktif, dan persyaratan kemurnian yang ketat.**
Baca selengkapnyamengirimkan permintaanPenutup Pelapis TaC Semicorex CVD telah menjadi teknologi pendukung yang penting dalam lingkungan yang menuntut dalam reaktor epitaksi, yang dicirikan oleh suhu tinggi, gas reaktif, dan persyaratan kemurnian yang ketat, memerlukan bahan yang kuat untuk memastikan pertumbuhan kristal yang konsisten dan mencegah reaksi yang tidak diinginkan.**
Baca selengkapnyamengirimkan permintaan