Susceptor Grafit dengan Lapisan SiC

Susceptor Grafit Semicorex dengan Lapisan SiC adalah komponen penting yang dirancang untuk proses epitaksi silikon dalam Bahan Terapan dan unit LPE (Epitaksi Fase Cair). Dibuat dari bahan grafit berkualitas tinggi yang dilapisi dengan Silicon Carbide (SiC), susceptor ini memastikan kinerja unggul dan umur panjang di lingkungan manufaktur semikonduktor. Semicorex berkomitmen untuk menyediakan produk berkualitas dengan harga bersaing, kami berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di China.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Lapisan SiC pada Susceptor Grafit dengan Lapisan SiC memiliki berbagai tujuan. Pertama, ia memberikan peningkatan stabilitas termal, memungkinkan kontrol yang tepat terhadap gradien suhu selama proses pertumbuhan epitaksi. Stabilitas ini sangat penting untuk mencapai lapisan silikon yang seragam dan berkualitas tinggi dalam wafer semikonduktor. Lapisan SiC pada Graphite Susceptor dengan SiC Coating menawarkan ketahanan yang sangat baik terhadap korosi kimia dan guncangan termal, menjaga integritas susceptor bahkan dalam kondisi proses yang berat. Daya tahan ini berarti umur operasional yang lebih panjang dan waktu henti yang berkurang, yang pada akhirnya berkontribusi pada produktivitas yang lebih tinggi dan efektivitas biaya untuk fasilitas fabrikasi semikonduktor.

Desain barel Susceptor Grafit dengan Lapisan SiC memfasilitasi bongkar muat wafer secara efisien, mengoptimalkan hasil dalam proses epitaksi. Selain itu, Graphite Susceptor dengan SiC Coating adalah produk yang disesuaikan, dan dapat disesuaikan untuk memenuhi kebutuhan dan preferensi spesifik produsen semikonduktor, memastikan kompatibilitas dengan konfigurasi peralatan dan parameter proses yang berbeda.