Barel SiC untuk Epitaksi Silikon

Semicorex SiC Barrel For Silicon Epitaxy dibuat menggunakan bahan grafit yang dilapisi dengan Silicon Carbide (SiC). Konstruksi unik ini memastikan ketahanan yang sangat baik terhadap guncangan termal dan degradasi kimia, memperpanjang umur susceptor dan menjaga keandalan proses.

Lapisan SiC canggih pada SiC Barrel For Silicon Epitaxy memberikan konduktivitas termal dan distribusi panas yang unggul, mendorong profil suhu yang seragam di seluruh susceptor. Hal ini meningkatkan kontrol proses, meminimalkan gradien termal, dan memastikan pertumbuhan lapisan epitaksial yang konsisten, menghasilkan film silikon berkualitas tinggi dengan keseragaman dan kemurnian luar biasa.

SiC Barrel For Silicon Epitaxy kami dapat disesuaikan untuk memenuhi kebutuhan dan preferensi tertentu. Dari penyesuaian ukuran hingga variasi ketebalan lapisan, kami menawarkan fleksibilitas dalam desain untuk mengakomodasi berbagai parameter proses dan mengoptimalkan kinerja untuk aplikasi tertentu.

SiC Barrel For Silicon Epitaxy kami menawarkan keandalan dan umur panjang, mengurangi waktu henti dan biaya pemeliharaan yang terkait dengan penggantian yang sering. Konstruksinya yang kokoh dan kinerja luar biasa berkontribusi pada peningkatan efisiensi proses, yang pada akhirnya meningkatkan produktivitas dan efektivitas biaya untuk operasi manufaktur semikonduktor.