Cina Pelapisan TaC Produsen, Pemasok, Pabrik

Grafit pelapis TaC dibuat dengan melapisi permukaan substrat grafit dengan kemurnian tinggi dengan lapisan halus tantalum karbida melalui proses Deposisi Uap Kimia (CVD) yang dipatenkan.

Tantalum karbida (TaC) merupakan senyawa yang terdiri dari tantalum dan karbon. Ia memiliki konduktivitas listrik logam dan titik leleh yang sangat tinggi, menjadikannya bahan keramik tahan api yang dikenal karena kekuatan, kekerasan, serta ketahanan terhadap panas dan aus. Titik leleh Tantalum Karbida mencapai puncaknya sekitar 3880°C tergantung pada kemurniannya dan merupakan salah satu titik leleh tertinggi di antara senyawa biner. Hal ini menjadikannya alternatif yang menarik ketika tuntutan suhu yang lebih tinggi melebihi kemampuan kinerja yang digunakan dalam proses epitaksi semikonduktor majemuk seperti MOCVD dan LPE.

Data material Lapisan Semicorex TaC

Proyek	Parameter
Kepadatan	14,3 (gram/cm³)
Emisivitas	0.3
KTE (×10^-6/K)	6.3
Kekerasan (HK)	2000
Resistansi (Ohm-cm)	1×10^-5
Stabilitas Termal	<2500℃
Perubahan Dimensi Grafit	-10~-20um (nilai referensi)
Ketebalan Lapisan	≥20um nilai tipikal (35um±10um)

Di atas adalah nilai-nilai tipikal

View as

Suseptor Wafer Berlapis TaC

Semicorex TaC Coated Wafer Susceptor adalah komponen penting yang digunakan dalam tungku Deposisi Uap Kimia Organik Logam (MOCVD) untuk pemrosesan epitaksi semikonduktor (epi). Semicorex berkomitmen untuk menyediakan produk berkualitas dengan harga bersaing, kami berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di China.

Baca selengkapnya mengirimkan permintaan

Pelat Dilapisi Tantalum Karbida TaC

Pelat Dilapisi Tantalum Karbida Semicorex TaC adalah solusi mutakhir yang dirancang untuk memenuhi tuntutan ketat manufaktur semikonduktor, khususnya pada tahap pemrosesan epitaksi (epi). Semicorex berkomitmen untuk menyediakan produk berkualitas dengan harga bersaing, kami berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di China.

Baca selengkapnya mengirimkan permintaan

Cincin Panduan Dilapisi TaC

Semicorex TaC Coated Guide Ring, puncak inovasi dalam tungku pertumbuhan kristal tunggal SiC (Silicon Carbide). Dirancang dengan cermat untuk memenuhi tuntutan industri semikonduktor, cincin panduan ini menjanjikan untuk mendefinisikan ulang proses pertumbuhan kristal Anda dengan presisi dan keandalan yang tak tertandingi.

Baca selengkapnya mengirimkan permintaan

Suseptor Grafit Berlapis TaC

Susceptor Grafit Berlapis TaC Semicorex yang mutakhir, komponen revolusioner yang dirancang untuk meningkatkan proses epitaksi wafer Anda ke tingkat efisiensi dan presisi baru. Dibuat dengan keahlian tak tertandingi dan memanfaatkan teknologi tercanggih, Semicorex TaC Coated Graphite Susceptor dirancang untuk memenuhi permintaan manufaktur semikonduktor.

Baca selengkapnya mengirimkan permintaan

Bagian Grafit Dilapisi Tantalum Karbida

Semicorex menyediakan Suku Cadang Grafit Dilapisi Tantalum Karbida berkualitas tinggi dengan layanan khusus. Semicorex berkomitmen untuk menyediakan produk berkualitas dengan harga bersaing, kami berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di China.

Baca selengkapnya mengirimkan permintaan

Penerima Grafit Berlapis Tantalum Karbida

Semicorex menyediakan Tantalum Carbide Coated Graphite Susceptor dengan layanan yang disesuaikan. Semicorex berkomitmen untuk menyediakan produk berkualitas dengan harga bersaing, kami berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di China.

Baca selengkapnya mengirimkan permintaan

<...7 8 9 10 11 >

Semicorex telah memproduksi Pelapisan TaC selama bertahun-tahun dan merupakan salah satu produsen dan Pemasok Pelapisan TaC profesional di China. Setelah Anda membeli produk kami yang canggih dan tahan lama yang memasok kemasan massal, kami menjamin jumlah besar dalam pengiriman cepat. Selama bertahun-tahun, kami telah menyediakan pelanggan dengan layanan yang disesuaikan. Pelanggan puas dengan produk kami dan layanan terbaik. Kami dengan tulus berharap untuk menjadi mitra bisnis jangka panjang Anda yang andal! Selamat datang untuk membeli produk dari pabrik kami.