Sistem Epi Penerima Barel

Semicorex Barrel Susceptor Epi System adalah produk berkualitas tinggi yang menawarkan daya rekat lapisan unggul, kemurnian tinggi, dan ketahanan oksidasi suhu tinggi. Profil termalnya yang merata, pola aliran gas laminar, dan pencegahan kontaminasi menjadikannya pilihan ideal untuk pertumbuhan lapisan epiksial pada chip wafer. Efektivitas biaya dan kemampuan penyesuaiannya menjadikannya produk yang sangat kompetitif di pasar.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Sistem Epi Barrel Susceptor kami adalah produk yang sangat inovatif yang menawarkan kinerja termal yang sangat baik, profil termal yang merata, dan daya rekat lapisan yang unggul. Kemurniannya yang tinggi, ketahanan oksidasi suhu tinggi, dan ketahanan terhadap korosi menjadikannya produk yang sangat andal untuk digunakan dalam industri semikonduktor. Pencegahan kontaminasi dan kotoran serta persyaratan perawatan yang rendah menjadikannya produk yang sangat kompetitif di pasar.
Di Semicorex, kami fokus pada penyediaan produk berkualitas tinggi dan hemat biaya kepada pelanggan kami. Sistem Epi Barrel Susceptor kami memiliki keunggulan harga dan diekspor ke banyak pasar Eropa dan Amerika. Kami bertujuan untuk menjadi mitra jangka panjang Anda, memberikan produk dengan kualitas yang konsisten dan layanan pelanggan yang luar biasa.
Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang Sistem Epi Barrel Susceptor kami.

Parameter Sistem Epi Barrel Susceptor

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	fase FCC β
Kepadatan	gram/cm³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Ukuran Butir	m	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Felekural	MPa (RT 4 poin)	415
Modulus Young	IPK (tikungan 4pt, 1300℃)	430
Ekspansi Termal (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300

Fitur Sistem Epi Barrel Susceptor

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki kepadatan yang baik dan dapat memainkan peran perlindungan yang baik dalam suhu tinggi dan lingkungan kerja yang korosif.

- Susceptor berlapis silikon karbida yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal memiliki kerataan permukaan yang sangat tinggi.

- Mengurangi perbedaan koefisien ekspansi termal antara substrat grafit dan lapisan silikon karbida, secara efektif meningkatkan kekuatan ikatan untuk mencegah retak dan delaminasi.

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki konduktivitas termal yang tinggi, dan sifat distribusi panas yang sangat baik.

-Titik leleh tinggi, ketahanan oksidasi suhu tinggi, ketahanan korosi.