Sistem Epi Susceptor Barrel untuk LPE Epitaxy

Semicorex Barrel Susceptor Epi System untuk LPE Epitaxy adalah produk berkualitas tinggi yang menawarkan daya rekat lapisan yang unggul, kemurnian tinggi, dan ketahanan oksidasi suhu tinggi. Profil termalnya yang rata, pola aliran gas laminar, dan pencegahan kontaminasi menjadikannya pilihan ideal untuk pertumbuhan lapisan epixial pada chip wafer. Efektivitas biaya dan kemampuan penyesuaiannya menjadikannya produk yang sangat kompetitif di pasar.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Sistem Barrel Susceptor Epi kami untuk LPE Epitaxy adalah produk yang sangat inovatif yang menawarkan kinerja termal yang sangat baik, bahkan profil termal, dan daya rekat lapisan yang unggul. Kemurnian tinggi, ketahanan oksidasi suhu tinggi, dan ketahanan korosi menjadikannya produk yang sangat andal untuk digunakan dalam industri semikonduktor. Pencegahan kontaminasi dan kotoran serta persyaratan perawatan yang rendah menjadikannya produk yang sangat kompetitif di pasar.

Di Semicorex, kami fokus untuk menyediakan produk berkualitas tinggi dan hemat biaya kepada pelanggan kami. Sistem Barrel Susceptor Epi kami untuk LPE Epitaxy memiliki keunggulan harga dan diekspor ke banyak pasar Eropa dan Amerika. Kami bertujuan untuk menjadi mitra jangka panjang Anda, memberikan produk berkualitas yang konsisten dan layanan pelanggan yang luar biasa.

Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang Sistem Epi Susceptor Barrel kami untuk LPE Epitaxy.

Parameter Sistem Barrel Susceptor Epi untuk LPE Epitaksi

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur kristal	FCC Î² fase
Kepadatan	g/cm³	3.21
Kekerasan	kekerasan Vickers	2500
Ukuran butir	Î¼m	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 titik)	415
Modulus Muda	Gpa (tikungan 4pt, 1300â)	430
Ekspansi Termal (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300

Fitur Sistem Epi Susceptor Barrel untuk LPE Epitaksi

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki kerapatan yang baik dan dapat memainkan peran perlindungan yang baik di lingkungan kerja bersuhu tinggi dan korosif.

- Susceptor berlapis silikon karbida yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal memiliki kerataan permukaan yang sangat tinggi.

- Mengurangi perbedaan koefisien ekspansi termal antara substrat grafit dan lapisan silikon karbida, secara efektif meningkatkan kekuatan ikatan untuk mencegah retak dan delaminasi.

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki konduktivitas termal yang tinggi, dan sifat distribusi panas yang sangat baik.

- Titik leleh tinggi, ketahanan oksidasi suhu tinggi, ketahanan korosi.