Susceptor Barel untuk Epitaksi Fase Cair

Jika Anda memerlukan susceptor grafit yang dapat bekerja dengan andal dan konsisten bahkan dalam lingkungan bersuhu tinggi dan korosif yang paling menuntut, Semicorex Barrel Susceptor untuk Liquid Phase Epitaxy adalah pilihan yang tepat. Lapisan silikon karbida memberikan konduktivitas termal dan distribusi panas yang sangat baik, memastikan kinerja luar biasa dalam aplikasi manufaktur semikonduktor.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Semicorex Barrel Susceptor untuk Liquid Phase Epitaxy adalah pilihan tepat untuk aplikasi manufaktur semikonduktor yang memerlukan panas tinggi dan ketahanan terhadap korosi. Lapisan SiC dengan kemurnian tinggi dan konduktivitas termal yang luar biasa memberikan perlindungan unggul dan sifat distribusi panas, memastikan kinerja yang andal dan konsisten bahkan di lingkungan yang paling menantang sekalipun.

Barrel Susceptor kami untuk Epitaxy Fase Cair dirancang untuk mencapai pola aliran gas laminar terbaik, memastikan kemerataan profil termal. Hal ini membantu mencegah kontaminasi atau penyebaran kotoran, memastikan pertumbuhan epitaksi berkualitas tinggi pada chip wafer.

Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang Barrel Susceptor untuk Epitaksi Fase Cair.

Parameter Barrel Susceptor untuk Epitaksi Fase Cair

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	fase FCC β
Kepadatan	gram/cm³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Ukuran Butir	m	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Felekural	MPa (RT 4 poin)	415
Modulus Young	IPK (tikungan 4pt, 1300℃)	430
Ekspansi Termal (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300

Fitur Barrel Susceptor untuk Epitaksi Fase Cair

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki kepadatan yang baik dan dapat memainkan peran perlindungan yang baik dalam suhu tinggi dan lingkungan kerja yang korosif.

- Susceptor berlapis silikon karbida yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal memiliki kerataan permukaan yang sangat tinggi.

- Mengurangi perbedaan koefisien ekspansi termal antara substrat grafit dan lapisan silikon karbida, secara efektif meningkatkan kekuatan ikatan untuk mencegah retak dan delaminasi.

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki konduktivitas termal yang tinggi, dan sifat distribusi panas yang sangat baik.

-Titik leleh tinggi, ketahanan oksidasi suhu tinggi, ketahanan korosi.