Barrel Susceptor untuk Liquid Phase Epitaxy

Jika Anda memerlukan susceptor grafit yang dapat bekerja dengan andal dan konsisten bahkan di lingkungan bersuhu tinggi dan korosif yang paling berat sekalipun, Semicorex Barrel Susceptor untuk Liquid Phase Epitaxy adalah pilihan yang tepat. Lapisan silikon karbidanya memberikan konduktivitas termal dan distribusi panas yang sangat baik, memastikan kinerja luar biasa dalam aplikasi manufaktur semikonduktor.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Semicorex Barrel Susceptor untuk Liquid Phase Epitaxy adalah pilihan tepat untuk aplikasi manufaktur semikonduktor yang membutuhkan ketahanan panas dan korosi yang tinggi. Lapisan SiC dengan kemurnian tinggi dan konduktivitas termal yang luar biasa memberikan perlindungan yang unggul dan sifat distribusi panas, memastikan kinerja yang andal dan konsisten bahkan di lingkungan yang paling menantang sekalipun.

Barrel Susceptor untuk Liquid Phase Epitaxy kami dirancang untuk mencapai pola aliran gas laminar terbaik, memastikan kerataan profil termal. Ini membantu mencegah kontaminasi atau difusi pengotor, memastikan pertumbuhan epitaxial berkualitas tinggi pada chip wafer.

Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang Barrel Susceptor kami untuk Liquid Phase Epitaxy.

Parameter Barrel Susceptor untuk Liquid Phase Epitaxy

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur kristal	FCC Î² fase
Kepadatan	g/cm³	3.21
Kekerasan	kekerasan Vickers	2500
Ukuran butir	Î¼m	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 titik)	415
Modulus Muda	Gpa (tikungan 4pt, 1300â)	430
Ekspansi Termal (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300

Fitur Barrel Susceptor untuk Liquid Phase Epitaxy

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki kerapatan yang baik dan dapat memainkan peran perlindungan yang baik di lingkungan kerja bersuhu tinggi dan korosif.

- Susceptor berlapis silikon karbida yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal memiliki kerataan permukaan yang sangat tinggi.

- Mengurangi perbedaan koefisien ekspansi termal antara substrat grafit dan lapisan silikon karbida, secara efektif meningkatkan kekuatan ikatan untuk mencegah retak dan delaminasi.

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki konduktivitas termal yang tinggi, dan sifat distribusi panas yang sangat baik.

- Titik leleh tinggi, ketahanan oksidasi suhu tinggi, ketahanan korosi.