Semicorex Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite adalah komponen khusus yang dirancang untuk digunakan dalam proses epitaksi, khususnya dalam membawa wafer. Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang bagaimana kami dapat membantu Anda dengan kebutuhan pemrosesan wafer semikonduktor Anda.
Semicorex Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite adalah komponen khusus yang dirancang untuk digunakan dalam proses epitaksi, khususnya dalam membawa wafer. Grafit Dilapisi Silikon Karbida Susceptor Barel ini dibuat dari bahan grafit, yang dikenal dengan konduktivitas termal dan stabilitasnya yang sangat baik pada suhu tinggi. Untuk meningkatkan kinerja dan daya tahannya, permukaan grafit dilapisi dengan lapisan silikon karbida (SiC).
Lapisan silikon karbida dari Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite mempunyai beberapa tujuan penting dalam konteks ini. Pertama, ia memberikan lapisan perlindungan tambahan pada substrat grafit di bawahnya, melindunginya dari reaksi kimia dan keausan yang mungkin terjadi selama proses epitaksi. Kedua, lapisan SiC meningkatkan sifat termal dari Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite, memungkinkan pemanasan wafer yang efisien dan seragam. Pemanasan yang seragam ini penting untuk mencapai lapisan epitaksi yang konsisten dan berkualitas tinggi pada wafer semikonduktor.
Desain Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite dioptimalkan untuk menahan dan mengangkut banyak wafer dengan aman selama proses epitaksi. Strukturnya yang seperti tong memungkinkan pemuatan dan pembongkaran wafer dengan mudah sekaligus memastikan distribusi panas yang tepat dan stabilitas termal selama pengoperasian.
Secara keseluruhan, Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite mewakili komponen penting dalam peralatan epitaksi, menawarkan keandalan, daya tahan, dan kontrol termal presisi yang penting untuk produksi perangkat semikonduktor canggih.