Susceptor Barel Dilapisi CVD SiC

Semicorex CVD SiC Coated Barrel Susceptor adalah komponen yang dirancang dengan cermat dan disesuaikan untuk proses manufaktur semikonduktor tingkat lanjut, khususnya epitaksi. Dibangun dengan presisi dan inovasi, CVD SiC Coated Barrel Susceptor ini dirancang untuk memfasilitasi pertumbuhan epitaksi bahan semikonduktor pada wafer dengan efisiensi dan keandalan yang tak tertandingi.

Pada inti CVD SiC Coated Barrel Susceptor terdapat struktur grafit yang kuat, terkenal dengan konduktivitas termal dan kekuatan mekaniknya yang luar biasa. Basis grafit ini berfungsi sebagai fondasi kokoh untuk susceptor, memastikan stabilitas dan umur panjang di bawah kondisi reaktor epitaksi yang berat.

Peningkatan substrat grafit adalah lapisan mutakhir silikon karbida (SiC) Deposisi Uap Kimia (CVD). Lapisan SiC khusus ini diterapkan secara cermat melalui proses pengendapan uap kimia, menghasilkan lapisan seragam dan tahan lama yang menyelimuti permukaan grafit. Lapisan CVD SiC dari CVD SiC Coated Barrel Susceptor memperkenalkan segudang keunggulan penting untuk proses epitaksial.

Lapisan CVD SiC dari CVD SiC Coated Barrel Susceptor menunjukkan sifat termal yang luar biasa, termasuk konduktivitas termal dan stabilitas termal yang tinggi. Sifat-sifat ini berperan penting dalam memastikan pemanasan wafer semikonduktor yang seragam dan tepat selama pertumbuhan epitaksial, sehingga mendorong pengendapan lapisan yang konsisten dan meminimalkan cacat pada produk akhir.

Desain CVD SiC Coated Barrel Susceptor berbentuk barel dioptimalkan untuk pemuatan dan pembongkaran wafer yang efisien, serta distribusi panas yang optimal ke seluruh permukaan wafer. Fitur desain ini, ditambah dengan kinerja unggul lapisan CVD SiC, menjamin kontrol proses dan hasil yang tak tertandingi dalam operasi manufaktur epitaksi.