> Produk > Dilapisi silikon karbida > Suseptor Barel > Susceptor Barel Dilapisi SiC Tahan Lama untuk LPE

Produk

produk baru

Susceptor Barel Dilapisi SiC Tahan Lama untuk LPE

Dengan densitas dan konduktivitas termal yang sangat baik, Susceptor Barrel SiC-Coated Semicorex Durable untuk LPE adalah pilihan ideal untuk digunakan dalam proses LPE dan aplikasi manufaktur semikonduktor lainnya. Lapisan SiC dengan kemurnian tinggi memberikan perlindungan unggul dan sifat distribusi panas, menjadikannya pilihan utama untuk hasil yang andal dan konsisten.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Jika Anda membutuhkan susceptor grafit berkualitas tinggi dengan ketahanan panas dan korosi yang unggul, lihat Semicorex Durable SiC-Coated Barrel Susceptor untuk LPE. Lapisan silikon karbidanya memberikan konduktivitas termal dan distribusi panas yang luar biasa, memastikan kinerja yang andal dan konsisten bahkan di lingkungan bersuhu tinggi yang paling berat sekalipun.

Susceptor Barel Berlapis SiC Tahan Lama kami untuk LPE dirancang untuk mencapai pola aliran gas laminar terbaik, memastikan kemerataan profil termal. Ini membantu mencegah kontaminasi atau difusi pengotor, memastikan pertumbuhan epitaxial berkualitas tinggi pada chip wafer.

Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang Susceptor Barel Berlapis SiC Tahan Lama kami untuk LPE.

Parameter Susceptor Barel Dilapisi SiC Tahan Lama untuk LPE

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur kristal	FCC Î² fase
Kepadatan	g/cm³	3.21
Kekerasan	kekerasan Vickers	2500
Ukuran butir	Î¼m	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 titik)	415
Modulus muda	Gpa (tikungan 4pt, 1300â)	430
Ekspansi Termal (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300

Fitur Susceptor Barel Dilapisi SiC Tahan Lama untuk LPE

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki kerapatan yang baik dan dapat memainkan peran perlindungan yang baik di lingkungan kerja bersuhu tinggi dan korosif.

- Susceptor berlapis silikon karbida yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal memiliki kerataan permukaan yang sangat tinggi.

- Mengurangi perbedaan koefisien ekspansi termal antara substrat grafit dan lapisan silikon karbida, secara efektif meningkatkan kekuatan ikatan untuk mencegah retak dan delaminasi.

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki konduktivitas termal yang tinggi, dan sifat distribusi panas yang sangat baik.

- Titik leleh tinggi, ketahanan oksidasi suhu tinggi, ketahanan korosi.