Jika Anda memerlukan suseptor grafit dengan konduktivitas termal dan sifat distribusi panas yang luar biasa, Anda bisa mencari di Semicorex Induktif Heated Barrel Epi System. Lapisan SiC dengan kemurnian tinggi memberikan perlindungan unggul dalam lingkungan bersuhu tinggi dan korosif, menjadikannya pilihan ideal untuk digunakan dalam aplikasi manufaktur semikonduktor.
Sistem Epi Barel yang Dipanaskan Secara Induktif Semicorex adalah pilihan sempurna untuk aplikasi manufaktur semikonduktor yang memerlukan distribusi panas dan konduktivitas termal yang luar biasa. Lapisan SiC dengan kemurnian tinggi dan kepadatan yang unggul memberikan perlindungan unggul dan sifat distribusi panas, memastikan kinerja yang andal dan konsisten bahkan di lingkungan yang paling menantang sekalipun.
Di Semicorex, kami fokus pada penyediaan produk berkualitas tinggi dan hemat biaya kepada pelanggan kami. Sistem Epi Barel yang Dipanaskan Secara Induktif kami memiliki keunggulan harga dan diekspor ke banyak pasar Eropa dan Amerika. Kami bertujuan untuk menjadi mitra jangka panjang Anda, memberikan produk dengan kualitas yang konsisten dan layanan pelanggan yang luar biasa.
Parameter Sistem Epi Barel yang Dipanaskan Secara Induktif
Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC |
||
Properti SiC-CVD |
||
Struktur Kristal |
Fase FCC β |
|
Kepadatan |
gram/cm³ |
3.21 |
Kekerasan |
Kekerasan Vickers |
2500 |
Ukuran Butir |
m |
2~10 |
Kemurnian Kimia |
% |
99.99995 |
Kapasitas Panas |
J kg-1 K-1 |
640 |
Suhu Sublimasi |
℃ |
2700 |
Kekuatan Felekural |
MPa (RT 4 poin) |
415 |
Modulus Young |
IPK (tikungan 4pt, 1300℃) |
430 |
Ekspansi Termal (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Konduktivitas termal |
(W/mK) |
300 |
Fitur Sistem Epi Barel yang Dipanaskan Secara Induktif
- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki kepadatan yang baik dan dapat memainkan peran perlindungan yang baik dalam suhu tinggi dan lingkungan kerja yang korosif.
- Susceptor berlapis silikon karbida yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal memiliki kerataan permukaan yang sangat tinggi.
- Mengurangi perbedaan koefisien ekspansi termal antara substrat grafit dan lapisan silikon karbida, secara efektif meningkatkan kekuatan ikatan untuk mencegah retak dan delaminasi.
- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki konduktivitas termal yang tinggi, dan sifat distribusi panas yang sangat baik.
-Titik leleh tinggi, ketahanan oksidasi suhu tinggi, ketahanan korosi.