Sistem Reaktor Epitaksi Fase Cair (LPE).

Sistem Reaktor Semicorex Liquid Phase Epitaxy (LPE) adalah produk inovatif yang menawarkan kinerja termal yang sangat baik, profil termal yang merata, dan daya rekat lapisan yang unggul. Kemurniannya yang tinggi, ketahanan oksidasi suhu tinggi, dan ketahanan terhadap korosi menjadikannya pilihan ideal untuk digunakan dalam industri semikonduktor. Pilihannya yang dapat disesuaikan dan efektivitas biaya menjadikannya produk yang sangat kompetitif di pasar.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Sistem Reaktor Liquid Phase Epitaxy (LPE) kami adalah produk yang sangat andal dan tahan lama serta memberikan nilai uang yang sangat baik. Ketahanan oksidasi suhu tinggi, bahkan profil termal, dan pencegahan kontaminasi menjadikannya ideal untuk pertumbuhan lapisan epitaksi berkualitas tinggi. Persyaratan pemeliharaan yang rendah dan kemampuan penyesuaian menjadikannya produk yang sangat kompetitif di pasar.

Di Semicorex, kami fokus pada penyediaan produk berkualitas tinggi dan hemat biaya kepada pelanggan kami. Sistem Reaktor Liquid Phase Epitaxy (LPE) kami memiliki keunggulan harga dan diekspor ke banyak pasar Eropa dan Amerika. Kami bertujuan untuk menjadi mitra jangka panjang Anda, memberikan produk dengan kualitas yang konsisten dan layanan pelanggan yang luar biasa.

Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang Sistem Reaktor Liquid Phase Epitaxy (LPE) kami.

Parameter Sistem Reaktor Epitaksi Fase Cair (LPE).

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	Fase FCC β
Kepadatan	gram/cm³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Ukuran Butir	m	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Felekural	MPa (RT 4 poin)	415
Modulus Young	IPK (tikungan 4pt, 1300℃)	430
Ekspansi Termal (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300

Fitur Sistem Reaktor Epitaksi Fase Cair (LPE).

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki kepadatan yang baik dan dapat memainkan peran perlindungan yang baik dalam suhu tinggi dan lingkungan kerja yang korosif.

- Susceptor berlapis silikon karbida yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal memiliki kerataan permukaan yang sangat tinggi.

- Mengurangi perbedaan koefisien ekspansi termal antara substrat grafit dan lapisan silikon karbida, secara efektif meningkatkan kekuatan ikatan untuk mencegah retak dan delaminasi.

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki konduktivitas termal yang tinggi, dan sifat distribusi panas yang sangat baik.

-Titik leleh tinggi, ketahanan oksidasi suhu tinggi, ketahanan korosi.