Sistem Reaktor Epitaksi Fase Cair (LPE).

Sistem Reaktor Semicorex Liquid Phase Epitaxy (LPE) adalah produk inovatif yang menawarkan kinerja termal yang sangat baik, bahkan profil termal, dan daya rekat lapisan yang unggul. Kemurnian tinggi, ketahanan oksidasi suhu tinggi, dan ketahanan korosi menjadikannya pilihan ideal untuk digunakan dalam industri semikonduktor. Opsi yang dapat disesuaikan dan efektivitas biaya menjadikannya produk yang sangat kompetitif di pasar.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Sistem Reaktor Liquid Phase Epitaxy (LPE) kami adalah produk yang sangat andal dan tahan lama yang memberikan nilai uang yang sangat baik. Ketahanan oksidasi suhu tinggi, bahkan profil termal, dan pencegahan kontaminasi membuatnya ideal untuk pertumbuhan lapisan epitaxial berkualitas tinggi. Persyaratan pemeliharaan yang rendah dan kemampuan penyesuaian menjadikannya produk yang sangat kompetitif di pasar.

Di Semicorex, kami fokus untuk menyediakan produk berkualitas tinggi dan hemat biaya kepada pelanggan kami. Sistem Reaktor Liquid Phase Epitaxy (LPE) kami memiliki keunggulan harga dan diekspor ke banyak pasar Eropa dan Amerika. Kami bertujuan untuk menjadi mitra jangka panjang Anda, memberikan produk berkualitas yang konsisten dan layanan pelanggan yang luar biasa.

Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang Sistem Reaktor Liquid Phase Epitaxy (LPE) kami.

Parameter Sistem Reaktor Liquid Phase Epitaxy (LPE).

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur kristal	FCC Î² fase
Kepadatan	g/cm³	3.21
Kekerasan	kekerasan Vickers	2500
Ukuran butir	Î¼m	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 titik)	415
Modulus Muda	Gpa (tikungan 4pt, 1300â)	430
Ekspansi Termal (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300

Fitur Sistem Reaktor Liquid Phase Epitaxy (LPE).

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki kepadatan yang baik dan dapat memainkan peran perlindungan yang baik di lingkungan kerja bersuhu tinggi dan korosif.

- Susceptor berlapis silikon karbida yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal memiliki kerataan permukaan yang sangat tinggi.

- Mengurangi perbedaan koefisien ekspansi termal antara substrat grafit dan lapisan silikon karbida, secara efektif meningkatkan kekuatan ikatan untuk mencegah retak dan delaminasi.

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki konduktivitas termal yang tinggi, dan sifat distribusi panas yang sangat baik.

- Titik leleh tinggi, ketahanan oksidasi suhu tinggi, ketahanan korosi.