> Produk > Dilapisi Silikon Karbida > Penerima Barel > Barrel Susceptor dengan Lapisan SiC di Semikonduktor

Produk

produk baru

Barrel Susceptor dengan Lapisan SiC di Semikonduktor

Jika Anda mencari susceptor grafit berkualitas tinggi yang dilapisi SiC dengan kemurnian tinggi, Semicorex Barrel Susceptor dengan Lapisan SiC dalam Semikonduktor adalah pilihan yang tepat. Konduktivitas termal dan sifat distribusi panasnya yang luar biasa menjadikannya ideal untuk digunakan dalam aplikasi manufaktur semikonduktor.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Semicorex Barrel Susceptor dengan Lapisan SiC dalam Semikonduktor adalah produk grafit kualitas premium yang dilapisi dengan SiC dengan kemurnian tinggi, menjadikannya pilihan ideal untuk digunakan di lingkungan bersuhu tinggi dan korosif. Kepadatan dan konduktivitas termalnya yang sangat baik memberikan distribusi dan perlindungan panas yang luar biasa dalam aplikasi manufaktur semikonduktor.
Di Semicorex, kami fokus pada penyediaan produk berkualitas tinggi dan hemat biaya kepada pelanggan kami. Barrel Susceptor kami dengan Lapisan SiC di Semikonduktor memiliki keunggulan harga dan diekspor ke banyak pasar Eropa dan Amerika. Kami bertujuan untuk menjadi mitra jangka panjang Anda, memberikan produk dengan kualitas yang konsisten dan layanan pelanggan yang luar biasa.

Parameter Barrel Susceptor dengan Lapisan SiC pada Semikonduktor

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	fase FCC β
Kepadatan	gram/cm³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Ukuran Butir	μm	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Felekural	MPa (RT 4 poin)	415
Modulus Young	IPK (tikungan 4pt, 1300℃)	430
Ekspansi Termal (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300

Fitur Barrel Susceptor dengan Lapisan SiC di Semikonduktor

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki kepadatan yang baik dan dapat memainkan peran perlindungan yang baik dalam suhu tinggi dan lingkungan kerja yang korosif.

- Susceptor berlapis silikon karbida yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal memiliki kerataan permukaan yang sangat tinggi.

- Mengurangi perbedaan koefisien ekspansi termal antara substrat grafit dan lapisan silikon karbida, secara efektif meningkatkan kekuatan ikatan untuk mencegah retak dan delaminasi.

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki konduktivitas termal yang tinggi, dan sifat distribusi panas yang sangat baik.

-Titik leleh tinggi, ketahanan oksidasi suhu tinggi, ketahanan korosi.