> Produk > Dilapisi Silikon Karbida > Pembawa RTP > Pembawa RTP untuk Pertumbuhan Epitaksi MOCVD

Produk

produk baru

Pembawa RTP untuk Pertumbuhan Epitaksi MOCVD

Semicorex RTP Carrier for MOCVD Epitaxial Growth is ideal for semiconductor wafer processing applications, including epitaxial growth and wafer handling processing. Carbon graphite susceptors and quartz crucibles are processed by MOCVD on the surface of graphite, ceramics, etc. Our products have a good price advantage and cover many of the European and American markets. We look forward to becoming your long-term partner in China.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Semicorex memasok RTP Carrier untuk MOCVD Epitaxial Growth yang digunakan untuk mendukung wafer, yang sangat stabil untuk RTA, RTP, atau pembersihan bahan kimia keras. Inti prosesnya, yaitu suseptor epitaksi, terlebih dahulu dikenai lingkungan pengendapan, sehingga memiliki ketahanan terhadap panas dan korosi yang tinggi. Pembawa berlapis SiC juga memiliki konduktivitas termal yang tinggi, dan sifat distribusi panas yang sangat baik.
Pembawa RTP kami untuk Pertumbuhan Epitaxial MOCVD dirancang untuk mencapai pola aliran gas laminar terbaik, memastikan kemerataan profil termal. Hal ini membantu mencegah penyebaran kontaminasi atau kotoran, memastikan pertumbuhan epitaksi berkualitas tinggi pada chip wafer.
Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang Pembawa RTP kami untuk Pertumbuhan Epitaxial MOCVD.

Parameter Pembawa RTP untuk Pertumbuhan Epitaksi MOCVD

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	Fase FCC β
Kepadatan	gram/cm³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Ukuran Butir	μm	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Felekural	MPa (RT 4 poin)	415
Modulus Young	IPK (tikungan 4pt, 1300℃)	430
Ekspansi Termal (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300

Fitur Pembawa RTP untuk Pertumbuhan Epitaksi MOCVD

Grafit berlapis SiC dengan kemurnian tinggi
Ketahanan panas yang unggul & keseragaman termal
Kristal SiC halus dilapisi untuk permukaan halus
Daya tahan tinggi terhadap pembersihan kimia
Bahan dirancang agar tidak terjadi keretakan dan delaminasi.