Semicorex RTP Carrier untuk MOCVD Epitaxial Growth ideal untuk aplikasi pemrosesan wafer semikonduktor, termasuk pertumbuhan epitaxial dan pemrosesan penanganan wafer. Susceptor grafit karbon dan cawan lebur kuarsa diproses oleh MOCVD pada permukaan grafit, keramik, dll. Produk kami memiliki keunggulan harga yang bagus dan mencakup banyak pasar Eropa dan Amerika. Kami berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di China.
Semicorex memasok RTP Carrier untuk MOCVD Epitaxial Growth yang digunakan untuk mendukung wafer, yang sangat stabil untuk RTA, RTP, atau pembersihan bahan kimia keras. Pada inti prosesnya, susceptor epitaxy pertama-tama dikenai lingkungan pengendapan, sehingga memiliki ketahanan panas dan korosi yang tinggi. Pembawa berlapis SiC juga memiliki konduktivitas termal yang tinggi, dan sifat distribusi panas yang sangat baik.
RTP Carrier for MOCVD Epitaxial Growth kami dirancang untuk mencapai pola aliran gas laminar terbaik, memastikan kemerataan profil termal. Ini membantu mencegah kontaminasi atau difusi pengotor, memastikan pertumbuhan epitaxial berkualitas tinggi pada chip wafer.
Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang RTP Carrier kami untuk MOCVD Epitaxial Growth.
Parameter RTP Carrier untuk MOCVD Epitaxial Growth
Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC |
||
Properti SiC-CVD |
||
Struktur kristal |
FCC β fase |
|
Kepadatan |
g/cm³ |
3.21 |
Kekerasan |
kekerasan Vickers |
2500 |
Ukuran butir |
μm |
2~10 |
Kemurnian Kimia |
% |
99.99995 |
Kapasitas Panas |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Suhu Sublimasi |
℃ |
2700 |
Kekuatan Feleksural |
MPa (RT 4 titik) |
415 |
Modulus muda |
Gpa (tikungan 4pt, 1300â) |
430 |
Ekspansi Termal (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Konduktivitas termal |
(W/mK) |
300 |
Fitur RTP Carrier untuk MOCVD Epitaxial Growth
Grafit berlapis SiC dengan kemurnian tinggi
Ketahanan panas yang unggul & keseragaman termal
Lapisan kristal SiC halus untuk permukaan yang halus
Daya tahan tinggi terhadap pembersihan kimia
Material dirancang agar tidak terjadi retak dan delaminasi.