Semicorex SiC Coated RTP Carrier Plate for Epitaxial Growth adalah solusi sempurna untuk aplikasi pemrosesan wafer semikonduktor. Dengan susceptor grafit karbon berkualitas tinggi dan crucible kuarsa yang diproses oleh MOCVD pada permukaan grafit, keramik, dll., produk ini ideal untuk penanganan wafer dan pemrosesan pertumbuhan epitaxial. Pembawa berlapis SiC memastikan konduktivitas termal yang tinggi dan sifat distribusi panas yang sangat baik, menjadikannya pilihan yang andal untuk RTA, RTP, atau pembersihan bahan kimia keras.
Pelat Pembawa RTP SiC Coated kami untuk Pertumbuhan Epitaxial dirancang untuk tahan terhadap kondisi terberat dari lingkungan pengendapan. Dengan ketahanan panas dan korosi yang tinggi, susceptor epitaxy mengalami lingkungan pengendapan yang sempurna untuk pertumbuhan epitaksi. Lapisan kristal SiC yang halus pada carrier memastikan permukaan yang halus dan daya tahan tinggi terhadap pembersihan bahan kimia, sementara materialnya direkayasa untuk mencegah keretakan dan delaminasi.
Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang Pelat Pembawa RTP Berlapis SiC kami untuk Pertumbuhan Epitaxial.
Parameter Pelat Pembawa RTP SiC Dilapisi untuk Pertumbuhan Epitaxial
Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC |
||
Properti SiC-CVD |
||
Struktur kristal |
FCC β fase |
|
Kepadatan |
g/cm³ |
3.21 |
Kekerasan |
kekerasan Vickers |
2500 |
Ukuran butir |
μm |
2~10 |
Kemurnian Kimia |
% |
99.99995 |
Kapasitas Panas |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Suhu Sublimasi |
℃ |
2700 |
Kekuatan Feleksural |
MPa (RT 4 titik) |
415 |
Modulus muda |
Gpa (tikungan 4pt, 1300â) |
430 |
Ekspansi Termal (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Konduktivitas termal |
(W/mK) |
300 |
Fitur Pelat Pembawa RTP SiC Dilapisi untuk Pertumbuhan Epitaxial
Grafit berlapis SiC dengan kemurnian tinggi
Ketahanan panas yang unggul & keseragaman termal
Lapisan kristal SiC halus untuk permukaan yang halus
Daya tahan tinggi terhadap pembersihan kimia
Material dirancang agar tidak terjadi retak dan delaminasi.