Pelat Pembawa RTP Dilapisi Semicorex SiC untuk Pertumbuhan Epitaxial adalah solusi sempurna untuk aplikasi pemrosesan wafer semikonduktor. Dengan suseptor grafit karbon berkualitas tinggi dan cawan lebur kuarsa yang diproses oleh MOCVD pada permukaan grafit, keramik, dll., produk ini ideal untuk penanganan wafer dan pemrosesan pertumbuhan epitaksi. Pembawa berlapis SiC memastikan konduktivitas termal yang tinggi dan sifat distribusi panas yang sangat baik, menjadikannya pilihan yang dapat diandalkan untuk RTA, RTP, atau pembersihan bahan kimia keras.
Pelat Pembawa RTP Berlapis SiC kami untuk Pertumbuhan Epitaxial dirancang untuk tahan terhadap kondisi lingkungan pengendapan yang paling sulit. Dengan ketahanan panas dan korosi yang tinggi, suseptor epitaksi berada pada lingkungan pengendapan yang sempurna untuk pertumbuhan epitaksi. Lapisan kristal SiC halus pada pembawa memastikan permukaan halus dan daya tahan tinggi terhadap pembersihan kimia, sementara material dirancang untuk mencegah retak dan delaminasi.
Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang Pelat Pembawa RTP Berlapis SiC untuk Pertumbuhan Epitaksi.
Parameter Pelat Pembawa RTP Dilapisi SiC untuk Pertumbuhan Epitaksi
Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC |
||
Properti SiC-CVD |
||
Struktur Kristal |
fase FCC β |
|
Kepadatan |
gram/cm³ |
3.21 |
Kekerasan |
Kekerasan Vickers |
2500 |
Ukuran Butir |
m |
2~10 |
Kemurnian Kimia |
% |
99.99995 |
Kapasitas Panas |
J kg-1 K-1 |
640 |
Suhu Sublimasi |
℃ |
2700 |
Kekuatan Felekural |
MPa (RT 4 poin) |
415 |
Modulus Young |
IPK (tikungan 4pt, 1300℃) |
430 |
Ekspansi Termal (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Konduktivitas termal |
(W/mK) |
300 |
Fitur Pelat Pembawa RTP Dilapisi SiC untuk Pertumbuhan Epitaksi
Grafit berlapis SiC dengan kemurnian tinggi
Ketahanan panas yang unggul & keseragaman termal
Kristal SiC halus dilapisi untuk permukaan halus
Daya tahan tinggi terhadap pembersihan kimia
Bahan didesain sedemikian rupa agar tidak terjadi keretakan dan delaminasi.