Pelat Pembawa RTP Grafit Semicorex SiC untuk MOCVD menawarkan ketahanan panas dan keseragaman termal yang unggul, menjadikannya solusi sempurna untuk aplikasi pemrosesan wafer semikonduktor. Dengan grafit berlapis SiC berkualitas tinggi, produk ini dirancang untuk tahan terhadap lingkungan pengendapan paling keras untuk pertumbuhan epitaksi. Konduktivitas termal yang tinggi dan sifat distribusi panas yang sangat baik memastikan kinerja yang andal untuk RTA, RTP, atau pembersihan bahan kimia keras.
Pelat Pembawa RTP Grafit SiC kami untuk MOCVD untuk Pertumbuhan Epitaksi MOCVD adalah solusi sempurna untuk penanganan wafer dan pemrosesan pertumbuhan epitaksi. Dengan permukaan halus dan daya tahan tinggi terhadap pembersihan kimia, produk ini menjamin kinerja yang andal di lingkungan pengendapan yang keras.
Bahan pelat pembawa RTP grafit SiC kami untuk MOCVD dirancang untuk mencegah retak dan delaminasi, sedangkan ketahanan panas dan keseragaman termal yang unggul memastikan kinerja yang konsisten untuk RTA, RTP, atau pembersihan bahan kimia keras.
Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang Pelat Pembawa RTP Grafit SiC untuk MOCVD.
Parameter Pelat Pembawa RTP Grafit SiC untuk MOCVD
Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC |
||
Properti SiC-CVD |
||
Struktur Kristal |
fase FCC β |
|
Kepadatan |
gram/cm³ |
3.21 |
Kekerasan |
Kekerasan Vickers |
2500 |
Ukuran Butir |
μm |
2~10 |
Kemurnian Kimia |
% |
99.99995 |
Kapasitas Panas |
J kg-1 K-1 |
640 |
Suhu Sublimasi |
℃ |
2700 |
Kekuatan Felekural |
MPa (RT 4 poin) |
415 |
Modulus Young |
IPK (tikungan 4pt, 1300℃) |
430 |
Ekspansi Termal (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Konduktivitas termal |
(W/mK) |
300 |
Fitur Pelat Pembawa RTP Grafit SiC untuk MOCVD
Grafit berlapis SiC dengan kemurnian tinggi
Ketahanan panas yang unggul & keseragaman termal
Kristal SiC halus dilapisi untuk permukaan halus
Daya tahan tinggi terhadap pembersihan kimia
Bahan didesain sedemikian rupa agar tidak terjadi keretakan dan delaminasi.