Pelat Pembawa Grafit RTP Semicorex adalah solusi sempurna untuk aplikasi pemrosesan wafer semikonduktor, termasuk pertumbuhan epitaxial dan pemrosesan penanganan wafer. Produk kami dirancang untuk menawarkan ketahanan panas yang unggul dan keseragaman termal, memastikan bahwa suseptor epitaxy mengalami lingkungan pengendapan, dengan ketahanan panas dan korosi yang tinggi.
Produk kami menampilkan grafit berlapis SiC dengan kemurnian tinggi, yang menawarkan sifat distribusi panas yang sangat baik, memastikan pembawa berlapis SiC memiliki permukaan yang halus, bebas dari retakan dan delaminasi. Pelat Pembawa Grafit RTP kami dilapisi silikon karbida halus, memastikan permukaannya halus dan bebas dari cacat apa pun. Produk ini sangat tahan lama terhadap pembersihan bahan kimia yang keras dan dirancang untuk memastikan tidak terjadi retakan dan pengelupasan.
Kami menawarkan keunggulan harga yang tidak dapat ditandingi oleh pesaing kami, dan kami berkomitmen untuk menjadi mitra jangka panjang Anda di China.
Dengan pelat pembawa grafit RTP kami, Anda dapat yakin akan kinerja yang sangat baik, ketahanan panas yang unggul, dan keseragaman termal. Pembawa berlapis SiC dirancang untuk menahan suhu tinggi dan sangat tahan terhadap pembersihan bahan kimia, memastikannya bertahan selama bertahun-tahun. Produk kami juga dirancang agar mudah digunakan, menjadikannya ideal untuk pengguna baru dan berpengalaman.
Di Semicorex, kami berkomitmen untuk menyediakan produk dan layanan berkualitas tinggi kepada pelanggan kami. Kami hanya menggunakan bahan terbaik, dan produk kami dirancang untuk memenuhi standar kualitas dan kinerja tertinggi. Pelat Pembawa Grafit RTP kami tidak terkecuali. Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang bagaimana kami dapat membantu Anda dengan kebutuhan pemrosesan wafer semikonduktor Anda.
Parameter Pelat Pembawa Grafit RTP
Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC |
||
Properti SiC-CVD |
||
Struktur kristal |
FCC β fase |
|
Kepadatan |
g/cm³ |
3.21 |
Kekerasan |
kekerasan Vickers |
2500 |
Ukuran butir |
μm |
2~10 |
Kemurnian Kimia |
% |
99.99995 |
Kapasitas Panas |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Suhu Sublimasi |
℃ |
2700 |
Kekuatan Feleksural |
MPa (RT 4 titik) |
415 |
Modulus Muda |
Gpa (tikungan 4pt, 1300â) |
430 |
Ekspansi Termal (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Konduktivitas termal |
(W/mK) |
300 |
Fitur Pelat Pembawa Grafit RTP
Grafit berlapis SiC dengan kemurnian tinggi
Ketahanan panas yang unggul & keseragaman termal
Lapisan kristal SiC halus untuk permukaan yang halus
Daya tahan tinggi terhadap pembersihan kimia
Material dirancang agar tidak terjadi retak dan delaminasi.