Pelat Pembawa Grafit RTP Semicorex adalah solusi sempurna untuk aplikasi pemrosesan wafer semikonduktor, termasuk pertumbuhan epitaksi dan pemrosesan penanganan wafer. Produk kami dirancang untuk menawarkan ketahanan panas dan keseragaman termal yang unggul, memastikan bahwa suseptor epitaksi terkena lingkungan pengendapan, dengan ketahanan panas dan korosi yang tinggi.
Produk kami dilengkapi grafit berlapis SiC dengan kemurnian tinggi, yang menawarkan sifat distribusi panas yang sangat baik, memastikan bahwa pembawa berlapis SiC memiliki permukaan halus, bebas dari retakan dan delaminasi. Pelat Pembawa Grafit RTP kami dilapisi silikon karbida halus, memastikan permukaannya halus dan bebas dari cacat apa pun. Produk ini sangat tahan lama terhadap pembersihan kimiawi yang keras dan dirancang untuk memastikan tidak terjadi retakan dan delaminasi.
Kami menawarkan keunggulan harga yang tidak dapat ditandingi oleh pesaing kami, dan kami berkomitmen untuk menjadi mitra jangka panjang Anda di Tiongkok.
Dengan pelat pembawa grafit RTP kami, Anda dapat yakin akan kinerja yang sangat baik, ketahanan panas yang unggul, dan keseragaman termal. Pembawa berlapis SiC dirancang untuk tahan terhadap suhu tinggi dan sangat tahan terhadap pembersihan kimia, sehingga memastikannya bertahan selama bertahun-tahun. Produk kami juga dirancang agar mudah digunakan, sehingga ideal untuk pengguna baru dan berpengalaman.
Di Semicorex, kami berkomitmen untuk menyediakan produk dan layanan berkualitas tinggi kepada pelanggan kami. Kami hanya menggunakan bahan terbaik, dan produk kami dirancang untuk memenuhi standar kualitas dan kinerja tertinggi. Pelat Pembawa Grafit RTP kami tidak terkecuali. Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang bagaimana kami dapat membantu Anda dengan kebutuhan pemrosesan wafer semikonduktor Anda.
Parameter Pelat Pembawa Grafit RTP
Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC |
||
Properti SiC-CVD |
||
Struktur Kristal |
Fase FCC β |
|
Kepadatan |
gram/cm³ |
3.21 |
Kekerasan |
Kekerasan Vickers |
2500 |
Ukuran Butir |
μm |
2~10 |
Kemurnian Kimia |
% |
99.99995 |
Kapasitas Panas |
J kg-1 K-1 |
640 |
Suhu Sublimasi |
℃ |
2700 |
Kekuatan Felekural |
MPa (RT 4 poin) |
415 |
Modulus Young |
IPK (tikungan 4pt, 1300℃) |
430 |
Ekspansi Termal (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Konduktivitas termal |
(W/mK) |
300 |
Fitur Pelat Pembawa Grafit RTP
Grafit berlapis SiC dengan kemurnian tinggi
Ketahanan panas yang unggul & keseragaman termal
Kristal SiC halus dilapisi untuk permukaan halus
Daya tahan tinggi terhadap pembersihan kimia
Bahan dirancang agar tidak terjadi keretakan dan delaminasi.