Pembawa Lapisan SiC RTP/RTA

Semicorex RTP/RTA SiC Coating Carrier dirancang untuk tahan terhadap kondisi lingkungan pengendapan yang paling berat. Dengan ketahanan panas dan korosi yang tinggi, produk ini dirancang untuk memberikan kinerja optimal untuk pertumbuhan epitaksi. Pembawa berlapis SiC memiliki konduktivitas termal yang tinggi dan sifat distribusi panas yang sangat baik, memastikan kinerja yang andal untuk RTA, RTP, atau pembersihan bahan kimia keras.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Pembawa Pelapis SiC RTP/RTA kami untuk Pertumbuhan Epitaksi MOCVD adalah solusi sempurna untuk penanganan wafer dan pemrosesan pertumbuhan epitaksi. Dengan permukaan halus dan daya tahan tinggi terhadap pembersihan kimia, produk ini menawarkan kinerja yang andal di lingkungan pengendapan yang keras.
Bahan pembawa pelapis SiC RTP/RTA kami dirancang untuk mencegah retak dan delaminasi, sedangkan ketahanan panas dan keseragaman termal yang unggul memastikan kinerja yang konsisten untuk RTA, RTP, atau pembersihan bahan kimia keras.
Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang pembawa pelapis RTP/RTA SiC kami

Parameter Pembawa Lapisan SiC RTP/RTA

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	fase FCC β
Kepadatan	gram/cm³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Ukuran Butir	μm	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Felekural	MPa (RT 4 poin)	415
Modulus Young	IPK (tikungan 4pt, 1300℃)	430
Ekspansi Termal (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300

Fitur Pembawa Lapisan SiC RTP/RTA

Grafit berlapis SiC dengan kemurnian tinggi
Ketahanan panas yang unggul & keseragaman termal
Kristal SiC halus dilapisi untuk permukaan halus
Daya tahan tinggi terhadap pembersihan kimia
Bahan didesain sedemikian rupa agar tidak terjadi keretakan dan delaminasi.