Pembawa Lapisan SiC RTP/RTA

Semicorex RTP/RTA SiC Coating Carrier direkayasa untuk tahan terhadap kondisi terberat dari lingkungan pengendapan. Dengan ketahanan panas dan korosi yang tinggi, produk ini dirancang untuk memberikan performa optimal untuk pertumbuhan epitaxial. Pembawa berlapis SiC memiliki konduktivitas termal yang tinggi dan sifat distribusi panas yang sangat baik, memastikan kinerja yang andal untuk RTA, RTP, atau pembersihan bahan kimia keras.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

RTP/RTA SiC Coating Carrier kami untuk MOCVD Epitaxial Growth adalah solusi sempurna untuk penanganan wafer dan pemrosesan pertumbuhan epitaxial. Dengan permukaan halus dan daya tahan tinggi terhadap pembersihan bahan kimia, produk ini menawarkan kinerja yang andal di lingkungan pengendapan yang keras.
Bahan pembawa pelapis RTP/RTA SiC kami direkayasa untuk mencegah keretakan dan delaminasi, sedangkan ketahanan panas yang unggul dan keseragaman termal memastikan kinerja yang konsisten untuk RTA, RTP, atau pembersihan bahan kimia keras.
Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang pembawa pelapis RTP/RTA SiC kami

Parameter Pembawa Lapisan RTP/RTA SiC

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur kristal	FCC Î² fase
Kepadatan	g/cm³	3.21
Kekerasan	kekerasan Vickers	2500
Ukuran butir	Î¼m	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 titik)	415
Modulus muda	Gpa (tikungan 4pt, 1300â)	430
Ekspansi Termal (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300

Fitur RTP/RTA SiC Coating Carrier

Grafit berlapis SiC dengan kemurnian tinggi
Ketahanan panas yang unggul & keseragaman termal
Lapisan kristal SiC halus untuk permukaan yang halus
Daya tahan tinggi terhadap pembersihan kimia
Material dirancang agar tidak terjadi retak dan delaminasi.