> Produk > Dilapisi Silikon Karbida > Penerima Barel > Susceptor Barel Dilapisi SiC untuk Pertumbuhan Epitaksi LPE

Produk

produk baru

Susceptor Barel Dilapisi SiC untuk Pertumbuhan Epitaksi LPE

Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor untuk LPE Epitaxial Growth adalah produk berkinerja tinggi yang dirancang untuk memberikan kinerja yang konsisten dan andal dalam jangka waktu yang lama. Profil termalnya yang merata, pola aliran gas laminar, dan pencegahan kontaminasi menjadikannya pilihan ideal untuk pertumbuhan lapisan epitaksi berkualitas tinggi pada chip wafer. Kemampuan penyesuaian dan efektivitas biaya menjadikannya produk yang sangat kompetitif di pasar.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

Susceptor Barrel Dilapisi SiC kami untuk LPE Epitaxial Growth adalah produk berkualitas tinggi dan andal yang memberikan nilai uang yang sangat baik. Ketahanannya terhadap oksidasi suhu tinggi, bahkan profil termal, dan pencegahan kontaminasi menjadikannya pilihan ideal untuk pertumbuhan lapisan epitaksi berkualitas tinggi pada chip wafer. Persyaratan pemeliharaan yang rendah dan kemampuan penyesuaian menjadikannya produk yang sangat kompetitif di pasar.

Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang Susceptor Barel Berlapis SiC untuk Pertumbuhan Epitaksi LPE.

Parameter Susceptor Barrel Dilapisi SiC untuk Pertumbuhan Epitaksi LPE

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur Kristal	Fase FCC β
Kepadatan	gram/cm³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Ukuran Butir	m	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J kg-1 K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Felekural	MPa (RT 4 poin)	415
Modulus Young	IPK (tikungan 4pt, 1300℃)	430
Ekspansi Termal (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300

Fitur Susceptor Barel Dilapisi SiC untuk Pertumbuhan Epitaksi LPE

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki kepadatan yang baik dan dapat memainkan peran perlindungan yang baik dalam suhu tinggi dan lingkungan kerja yang korosif.

- Susceptor berlapis silikon karbida yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal memiliki kerataan permukaan yang sangat tinggi.

- Mengurangi perbedaan koefisien ekspansi termal antara substrat grafit dan lapisan silikon karbida, secara efektif meningkatkan kekuatan ikatan untuk mencegah retak dan delaminasi.

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki konduktivitas termal yang tinggi, dan sifat distribusi panas yang sangat baik.

-Titik leleh tinggi, ketahanan oksidasi suhu tinggi, ketahanan korosi.