> Produk > Dilapisi silikon karbida > Suseptor Barel > SiC Coated Barrel Susceptor untuk Pertumbuhan LPE Epitaxial

Produk

produk baru

SiC Coated Barrel Susceptor untuk Pertumbuhan LPE Epitaxial

Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor for LPE Epitaxial Growth adalah produk berperforma tinggi yang dirancang untuk memberikan kinerja yang konsisten dan andal dalam jangka waktu lama. Profil termalnya yang rata, pola aliran gas laminar, dan pencegahan kontaminasi menjadikannya pilihan ideal untuk pertumbuhan lapisan epitaxial berkualitas tinggi pada chip wafer. Kemampuan penyesuaian dan efektivitas biaya menjadikannya produk yang sangat kompetitif di pasar.

mengirimkan permintaan

Deskripsi Produk

SiC Coated Barrel Susceptor kami untuk LPE Epitaxial Growth adalah produk berkualitas tinggi dan andal yang memberikan nilai uang yang luar biasa. Ketahanan oksidasi suhu tinggi, bahkan profil termal, dan pencegahan kontaminasi menjadikannya pilihan ideal untuk pertumbuhan lapisan epitaxial berkualitas tinggi pada chip wafer. Persyaratan pemeliharaan yang rendah dan kemampuan penyesuaian membuatnya menjadi produk yang sangat kompetitif di pasar.

Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang SiC Coated Barrel Susceptor kami untuk Pertumbuhan LPE Epitaxial.

Parameter SiC Coated Barrel Susceptor untuk Pertumbuhan LPE Epitaxial

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD
Struktur kristal	FCC Î² fase
Kepadatan	g/cm³	3.21
Kekerasan	kekerasan Vickers	2500
Ukuran butir	Î¼m	2~10
Kemurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 titik)	415
Modulus Muda	Gpa (tikungan 4pt, 1300â)	430
Ekspansi Termal (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Konduktivitas termal	(W/mK)	300

Fitur SiC Coated Barrel Susceptor untuk Pertumbuhan LPE Epitaxial

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki kerapatan yang baik dan dapat memainkan peran perlindungan yang baik di lingkungan kerja bersuhu tinggi dan korosif.

- Susceptor berlapis silikon karbida yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal memiliki kerataan permukaan yang sangat tinggi.

- Mengurangi perbedaan koefisien ekspansi termal antara substrat grafit dan lapisan silikon karbida, secara efektif meningkatkan kekuatan ikatan untuk mencegah retak dan delaminasi.

- Substrat grafit dan lapisan silikon karbida memiliki konduktivitas termal yang tinggi, dan sifat distribusi panas yang sangat baik.

- Titik leleh tinggi, ketahanan oksidasi suhu tinggi, ketahanan korosi.