Pelapisan SiC merupakan lapisan tipis pada suseptor melalui proses deposisi uap kimia (CVD). Bahan silikon karbida memberikan sejumlah keunggulan dibandingkan silikon, termasuk 10x kekuatan medan listrik kerusakan, 3x celah pita, yang memberikan bahan tersebut ketahanan suhu dan bahan kimia yang tinggi, ketahanan aus yang sangat baik, serta konduktivitas termal.
Semicorex memberikan layanan yang disesuaikan, membantu Anda berinovasi dengan komponen yang bertahan lebih lama, mengurangi waktu siklus, dan meningkatkan hasil.
Lapisan SiC memiliki beberapa keunggulan unik
Ketahanan Suhu Tinggi: Susceptor berlapis CVD SiC dapat menahan suhu tinggi hingga 1600°C tanpa mengalami degradasi termal yang signifikan.
Ketahanan Kimia: Lapisan silikon karbida memberikan ketahanan yang sangat baik terhadap berbagai bahan kimia, termasuk asam, basa, dan pelarut organik.
Ketahanan Aus: Lapisan SiC memberikan ketahanan aus yang sangat baik pada material, sehingga cocok untuk aplikasi yang melibatkan keausan tinggi.
Konduktivitas Termal: Lapisan CVD SiC memberikan material dengan konduktivitas termal yang tinggi, sehingga cocok untuk digunakan dalam aplikasi suhu tinggi yang memerlukan perpindahan panas yang efisien.
Kekuatan dan Kekakuan Tinggi: Susceptor berlapis silikon karbida memberikan material dengan kekuatan dan kekakuan tinggi, sehingga cocok untuk aplikasi yang membutuhkan kekuatan mekanik tinggi.
Lapisan SiC digunakan dalam berbagai aplikasi
Manufaktur LED: Susceptor berlapis CVD SiC digunakan dalam proses pembuatan berbagai jenis LED, termasuk LED biru dan hijau, LED UV, dan LED UV dalam, karena konduktivitas termal yang tinggi dan ketahanan terhadap bahan kimia.
Komunikasi seluler: Susceptor berlapis CVD SiC adalah bagian penting dari HEMT untuk menyelesaikan proses epitaksi GaN-on-SiC.
Pemrosesan Semikonduktor: Susceptor berlapis CVD SiC digunakan dalam industri semikonduktor untuk berbagai aplikasi, termasuk pemrosesan wafer dan pertumbuhan epitaksi.
Komponen grafit berlapis SiC
Dibuat dengan grafit Silicon Carbide Coating (SiC), pelapisan ini diterapkan dengan metode CVD pada tingkat tertentu grafit kepadatan tinggi, sehingga dapat beroperasi di tungku suhu tinggi dengan suhu lebih dari 3000 °C dalam atmosfer inert, 2200 °C dalam ruang hampa. .
Sifat khusus dan massa material yang rendah memungkinkan laju pemanasan yang cepat, distribusi suhu yang seragam, dan presisi pengendalian yang luar biasa.
Data material Lapisan SiC Semicorex
Properti khas |
Satuan |
Nilai-nilai |
Struktur |
|
Fase FCC β |
Orientasi |
Pecahan (%) |
111 lebih disukai |
Kepadatan massal |
gram/cm³ |
3.21 |
Kekerasan |
Kekerasan Vickers |
2500 |
Kapasitas Panas |
J kg-1 K-1 |
640 |
Ekspansi termal 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Modulus Young |
IPK (tikungan 4pt, 1300℃) |
430 |
Ukuran Butir |
m |
2~10 |
Suhu Sublimasi |
℃ |
2700 |
Kekuatan Felekural |
MPa (RT 4 poin) |
415 |
Konduktivitas termal |
(W/mK) |
300 |
Kesimpulan Susceptor berlapis CVD SiC merupakan material komposit yang menggabungkan sifat susceptor dan silikon karbida. Bahan ini memiliki sifat unik, termasuk ketahanan terhadap suhu dan bahan kimia yang tinggi, ketahanan aus yang sangat baik, konduktivitas termal yang tinggi, serta kekuatan dan kekakuan yang tinggi. Sifat-sifat ini menjadikannya bahan yang menarik untuk berbagai aplikasi suhu tinggi, termasuk pemrosesan semikonduktor, pemrosesan kimia, perlakuan panas, pembuatan sel surya, dan pembuatan LED.
Jika Anda mencari susceptor grafit berkualitas tinggi yang dilapisi SiC dengan kemurnian tinggi, Semicorex Barrel Susceptor dengan Lapisan SiC dalam Semikonduktor adalah pilihan yang tepat. Konduktivitas termal dan sifat distribusi panasnya yang luar biasa menjadikannya ideal untuk digunakan dalam aplikasi manufaktur semikonduktor.
Baca selengkapnyamengirimkan permintaanDengan kepadatan dan konduktivitas termal yang unggul, Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor untuk Pertumbuhan Epitaxial adalah pilihan ideal untuk digunakan di lingkungan bersuhu tinggi dan korosif. Dilapisi dengan SiC dengan kemurnian tinggi, produk grafit ini memberikan perlindungan dan distribusi panas yang sangat baik, memastikan kinerja yang andal dan konsisten dalam aplikasi manufaktur semikonduktor.
Baca selengkapnyamengirimkan permintaanThe Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor for Wafer Epitaxial is the perfect choice for single crystal growth applications, thanks to its exceptionally flat surface and high-quality SiC coating. Its high melting point, oxidation resistance, and corrosion resistance make it an ideal choice for use in high-temperature and corrosive environments.
Baca selengkapnyamengirimkan permintaanBarel Reaktor Epitaksi Berlapis SiC Semicorex adalah produk grafit berkualitas tinggi yang dilapisi dengan SiC dengan kemurnian tinggi. Kepadatan dan konduktivitas termalnya yang luar biasa menjadikannya pilihan ideal untuk digunakan dalam proses LPE, memberikan distribusi dan perlindungan panas yang luar biasa di lingkungan korosif dan bersuhu tinggi.
Baca selengkapnyamengirimkan permintaanSusceptor Barel Reaktor Berlapis Karbida Semicorex adalah produk grafit kualitas premium yang dilapisi dengan SiC dengan kemurnian tinggi, dirancang khusus untuk proses LPE. Dengan ketahanan panas dan korosi yang sangat baik, produk ini sangat cocok untuk digunakan dalam aplikasi manufaktur semikonduktor.
Baca selengkapnyamengirimkan permintaanBarel Susceptor Berlapis SiC Semicorex untuk Ruang Reaktor Epitaxial adalah solusi yang sangat andal untuk proses manufaktur semikonduktor, yang menampilkan distribusi panas dan sifat konduktivitas termal yang unggul. Ini juga sangat tahan terhadap korosi, oksidasi, dan suhu tinggi.
Baca selengkapnyamengirimkan permintaan